Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотовольтаический эффект в структурах In/ p-AgGaS₂

Рудь Ю.В.¹, Рудь В.Ю.¹, Боднарь И.В.¹, Березуцкий Л.Г.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 29 апреля 1994 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе монокристаллов AgGaS₂ созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры. Исследована фоточувствительность структур In/p-AgGaS₂ в естественном и линейно поляризованном излучении, а также фотолюминесценция монокристаллов AgGaS₂. Обсуждается анизотропия фоточувствительности и излучательных переходов с учетом правил отбора для межзонных переходов. Сделан вывод о возможности практических применений полученных структур в поляризационной оптоэлектронике.

J.L. Shay, J.H. Wernick. \it Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (Pergamon-Press, N.Y., 1975)
S. Wagner. \it Topics in Applied Physics, v. 17. \it Electroluminescence, ed by J.I. Pankove (Springer-Verlag, N.Y., 1977) p. 171
B. Tell, H.M. Kasper. Phys. Rev. B, 4, 4455 (1971)
Y. Noda, T. Kuzasawa, H. Watanada, Y. Furukawa, K. Masumoto. \it Non-Stoichimetry in Semiconductors, ed by K.J. Bachmann, H.-L. Hwang, C. Schwab (Elsevier Science Publishers B.V., The Netherlands., 1992) p. 63
J.P. Leyris, J.P. Aicardi. Phys. St. Sol. (a), \bf 92, 279 (1985)
Y.Noda, T. Kurusawa, N. Sugai, Y. Furukawa. J. Cryst. Growth, \bf 99, 757 (1990)
Y.Noda, T. Kurusawa, N. Sugai, Y. Furukawa. J. Cryst. Growth, \bf 115, 802 (1991)
K. Masumoto, K. Mochizuki. \it Proc. Sth. Int. Conf. Ternary and Miltinary compounds (Kishinev, 1990) v. 1, p. 93 (1992)
E. Niwa, K. Mochizuki, K. Masumoto. Abstracts ICTMC-9 (Yokohama, Japan, 1993) p. 331
T. Kurasawa, Y. Noda, Y. Furukawa, K. Masumoto. Abstracts ICTMC-9 (Yokohama, Japan, 1993) p. 138
А.А. Абдурахимов, А.А. Вайполин, З.А. Паримбеков, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ЖПС, \bf 38, 814 (1983)
Ю.В. Рудь. Изв. Вузов СССР. Физика, N 8, 68 (1986)
Ю.В. Рудь. В кн.: \it Физика и техническое применение полупроводников A^IIB^VI (Вильнюс, 1983) т. 3, с. 159
А.А. Абдурахимов, Ю.В. Рудь. ФТП, 16, 959 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель