На основе выращенных газотранспортным методом монокристаллов p-CuGaS₂ получены фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/CuGaS₂. Выполнены исследования электрических и фотоэлектрических свойств этих структур, а также фотолюминесценции однородных кристаллов. Обнаружена и исследована поляризационная фоточувствительность структур In/p-CuGaS₂, установлен экситонный характер особенностей длинноволнового края фоточувствительности. Показано, что поляризационная зависимость фототока находится в соответствии с правилами отбора для межзонных оптических переходов в CuGaS₂. Сделан вывод о возможностях использования полученных стурктур в качестве широкополосных фотопреобразователей интенсивности излучения, ''слепых'' по отношению к излучению с энергией фотонов менее 2.45 эВ, а также селективных фотоанализаторов коротковолнового излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.