"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрическая активность примесей в трансмутационно легированном германии
Ермолаев О.П.1
1Белорусский государственный университет,, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 9 августа 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

Изучена низкотемпературная (до 1.7 K) проводимость германия, облученного большими интегральными потоками быстрых (надкадмиевых) нейтронов. Показано, что электрические свойства такого материала обусловлены только мелкими уровнями радиационных дефектов, которые отжигаются при ~= 350 oC. После облучения исходные примеси (Sb, Ga), а также примеси, образующиеся в результате ядерных реакций с нейтронами, становятся электрически неактивными. Примеси начинают проявлять электрическую активность при температурах отжига Ta>350 oC. В результате полного отжига (24 ч при 450 oC) все исходные и трансмутационно введенные примеси становятся электрически активными. Рассмотрена качественная модель, объясняющая поведение исходных (Sb, Ga) и трансмутационнo введенных примесей в результате облучения и отжига.
  1. К. Ларк-Горовиц. \it Полупроводниковые материалы (М., Иностр. лит., 1954) с. 62
  2. С.М. Рывкин, И.С. Шлимак, М.Л. Кожух, В.А. Трунов. \it Тр. межд. конф. по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1979) с. 789
  3. В.П. Добрего, О.П. Ермолаев. ФТП. 14, 1120 (1980)
  4. В.П. Добрего, О.П. Ермолаев. ФТП. 10, 999 (1976)
  5. V.P. Dobrego, O.P. Ermolaev, V.D. Tkachev. Phys. St. Sol. (a), \bf 44, 435 (1977)
  6. М.Л. Кожух, Н.С. Липкина, И.С. Шлимак. ФТП. \bf 19, 331 (1985); М.Л. Кожух, Н.С. Липкина. ФТП. \bf 21, 284 (1987)
  7. О.М. Хемеда. Автореф. канд. дис. (Минск, 1990)
  8. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. \it Электронные свойства легированных полупроводников (М., 1979); ФТП, \bf 14, 825 (1980)
  9. С.П. Ермолаев и др. \it Тез. докл. VI Республ. конф. молодых ученых по физике (Минск, 1980) с. 128
  10. S.F. Mughabghab, M. Divadeenam, N.E. Holden. \it Neutron cross section BNL-325 (N.Y., Acad. Press., 1981)
  11. А.Г. Беда, В.В. Вайнберг, Ф.М. Воробкало, Л.И. Зарубин. ФТП, \bf 15, 1546 (1981)
  12. Ю.А. Осипьян, В.М. Прокопенко, В.И. Тальянский. ЖЭТФ, \bf 87, 269 (1984)
  13. А.Г. Забродский. Письма в ЖЭТФ, 33, 258 (1981)
  14. А.Н. Ионов, М.Н. Матвеев, Д.В. Шмикк. ЖТФ, \bf 59, 169 (1989)
  15. М.В. Алексеенко, А.Г. Андреев, А.Г. Забродский. Письма ЖТФ, \bf 13, 1295 (1987)
  16. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
  17. N. Fukuoka, H. Saito, J.W. Cleland. Japan. J. Appl. Phys., \bf 19, 11 (1980)
  18. G.D. Watkins. In: \it Radiation Damage in Semiconductors, ed. by P.Baruch (Dunod, Paris, 1965) p. 97
  19. О.А.Новожилов, С.Р. Новиков, Л.И. Мещерская. Препринт N 413 (ЛИЯФ, 1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.