Проведены исследования закономерностей роста полупроводниковых нанокристаллов (квантовых точек) CdS в аморфных средах - в силикатных стеклах и в тонких пленках SiO₂. Стекла и пленки первоначально были легированы компонентами полупроводникового материала, после чего рост кристаллов CdS осуществлялся в процессе отжига образцов при различных температурах на воздухе и в атмосфере водорода. Средние размеры образовавшихся кристаллов определялись по ширине линий рентгеновской дифракции, а также по спектральному сдвигу края фундаментального оптического поглощения и составляли 1/ 20 нм. Характер экспериментальных зависимостей среднего размера от времени отжига показывает, что в соответствии с теорией фазового распада рост кристаллов происходит последовательно стадии образования зародышей и диффузионного роста. По зависимостям среднего радиуса зародышей от температуры отжига определены температуры растворимости CdS в материале матрицы. В работе также показано сильное влияние состава атмосферы отжига на процессы роста и оптические свойства нанокристаллов CdS в тонких пленках SiO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.