"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование закономерностей роста нанокристаллов CdS в силикатном стекле и в тонких пленках SiO 2 на начальных стадиях фазового распада твердого раствора
Гуревич С.А.1, Екимов А.И.1, Кудрявцев И.А.1, Люблинская О.Г.1, Осинский А.В.1, Усиков А.С.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Проведены исследования закономерностей роста полупроводниковых нанокристаллов (квантовых точек) CdS в аморфных средах - в силикатных стеклах и в тонких пленках SiO2. Стекла и пленки первоначально были легированы компонентами полупроводникового материала, после чего рост кристаллов CdS осуществлялся в процессе отжига образцов при различных температурах на воздухе и в атмосфере водорода. Средние размеры образовавшихся кристаллов определялись по ширине линий рентгеновской дифракции, а также по спектральному сдвигу края фундаментального оптического поглощения и составляли 1/ 20 нм. Характер экспериментальных зависимостей среднего размера от времени отжига показывает, что в соответствии с теорией фазового распада рост кристаллов происходит последовательно стадии образования зародышей и диффузионного роста. По зависимостям среднего радиуса зародышей от температуры отжига определены температуры растворимости CdS в материале матрицы. В работе также показано сильное влияние состава атмосферы отжига на процессы роста и оптические свойства нанокристаллов CdS в тонких пленках SiO2.
  1. Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
  2. Г.Б. Григорян, Э.М. Казарян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева. ФТТ, \bf 32, 1772 (1990)
  3. Ю.В. Вандышев, В.С. Днепровский, В.И. Климов. ЖЭТФ, \bf 101, 270 (1992)
  4. V. Esch, K. Kang, B. Fluegel, Y.Z. Hu, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch, N. Peygambarian. Int. J. Nonlinear Opt. Phys., \bf 1, N 1, 25 (1992)
  5. N. Peyghambarian, B. Fluegel, D. Hulin, A. Migus, M. Joffre, A. Antonetti, S.W. Koch, M. Linberg. IEEE J. Quant. Electron., \bf 25, 2516 (1989)
  6. В.В. Голубков, А.И. Екимов, А.А. Онущенко, В.А. Цехомский. ФХС, \bf 7, 397 (1981)
  7. R. Kampmann, R. Wagner. Decomposition of alloys: the early stages, 91. Oxford (1983)
  8. A.I. Ekimov, Al.L. Efros, A.A. Onushchenko. Sol. St. Commun., \bf 56, 921 (1985)
  9. V.H.A. Muller, U. Lembke, U. Woggon, I. Ruckmann. J. Non-Cryst. Sol., \bf 144, 240 (1992)
  10. С.А. Гуревич, А.И. Екимов, И.А. Кудрявцев, А.В. Осинский, В.И. Скопина, Д.И. Чепик. ФТП, \bf 26, 102 (1992)
  11. K. Tsunetomo, H. Nasu, H. Kitayama, A. Kawabuchi, Y. Osaka, K. Takiyama. Japan. J. Phys., \bf 28, 1928 (1989)
  12. Я.Б. Зельдович. ЖЭТФ, 12, 525 (1942)
  13. И.М. Лифшиц, В.В. Слезов. ЖЭТФ, 35, 479 (1958)
  14. L.E. Brus. Nanostruct. Mater., 1, 71 (1992)
  15. В.П. Коверда, В.Н. Скоков, В.П. Скрипков. Кристаллография, \bf 27, 358 (1982)
  16. E.M. Nicollian, I.R. Brews. MOS Physics and Technology. N.Y.: I. Wiley (1982)
  17. F. Daniels, R.A. Alberty. Physical Chemistry. John Wiley and Sons Ins. (1975)
  18. А.И. Екимов, М.Г. Иванов, И.А. Кудрявцев, Ал.Л. Эфрос. ФТТ, \bf 31, 192 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.