Вышедшие номера
Исследование закономерностей роста нанокристаллов CdS в силикатном стекле и в тонких пленках SiO 2 на начальных стадиях фазового распада твердого раствора
Гуревич С.А.1, Екимов А.И.1, Кудрявцев И.А.1, Люблинская О.Г.1, Осинский А.В.1, Усиков А.С.1, Фалеев Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Проведены исследования закономерностей роста полупроводниковых нанокристаллов (квантовых точек) CdS в аморфных средах - в силикатных стеклах и в тонких пленках SiO2. Стекла и пленки первоначально были легированы компонентами полупроводникового материала, после чего рост кристаллов CdS осуществлялся в процессе отжига образцов при различных температурах на воздухе и в атмосфере водорода. Средние размеры образовавшихся кристаллов определялись по ширине линий рентгеновской дифракции, а также по спектральному сдвигу края фундаментального оптического поглощения и составляли 1/ 20 нм. Характер экспериментальных зависимостей среднего размера от времени отжига показывает, что в соответствии с теорией фазового распада рост кристаллов происходит последовательно стадии образования зародышей и диффузионного роста. По зависимостям среднего радиуса зародышей от температуры отжига определены температуры растворимости CdS в материале матрицы. В работе также показано сильное влияние состава атмосферы отжига на процессы роста и оптические свойства нанокристаллов CdS в тонких пленках SiO2.