"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование гетероструктур InP/InGaAs методом фотоэдс с использованием органической жидкости
Пашук А.В.1, Фурсенко Т.А.1
1Научно-исследовательский институт ''Электрон'',, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Проведены спектральные исследования гетероструктур InP/InGaAs, имеющих разную толщину поверхностного эпитаксиального слоя InP, методом фотоэдс с использованием органических жидкостей. Получена экспериментальная зависимость указанной толщины от отношения значений фотоэдс в разных участках спектра. Рассмотрены физические механизмы происходящих процессов и возможность применения метода для определения толщины поверхностного эпитаксиального слоя у других гетероструктур.
  1. J.S. Escher, B.F. Williams. J. Appl. Phys., 44, 525 (1973)
  2. B.J. Baliga, R. Bhat, S.K. Ghandhi. J. Appl. Phys., \bf 46, 3941 (1975)
  3. В.П.Денисов, А.В. Пашук. ПТЭ, N 1, 211 (1991)
  4. В.П. Денисов, А.В. Пашук. ФТП, 25, 1381 (1991)
  5. А.с. N 1554681 СССР (1989)
  6. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М. (1971)
  7. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М. (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.