Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 10 » Статья стр. 1769
<<<>>>
Электролюминесценция 6H-SiC p-n-структур, легированных алюминием
Лебедев А.А.1, Полетаев Н.К.1, Растегаева М.Г.1, Савкина Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 31 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
PDF версия
Проведено исследование спектров электролюминесценции 6H-SiC p+-n-структур, как полученных по обычной сублимационной технологии, так и с легированной Al и N в процессе роста n-базой ( SiC< Al,N>). Обнаружено, что появление в спектре электролюминесценции легированных образцов максимумов излучения в диапазоне энергий (2.5-2.8) эВ соответствует образованию в данных структурах глубоких центров типа HK1 (Ev+0.22 эВ) и HK2 (Ev+0.27 эВ). Обнаружено, что спектры электролюминесценции образцов SiC< Al,N> сильно зависят от плотности прямого тока J и, возможно, при малом и большом J обусловлены различными механизмами рекомбинации. Показано, что характеристики спектра излучения легированных образцов при высоком уровне возбуждения могут быть объяснены излучательной рекомбинацией с участием центра HK1.
  1. В.И. Павличенко, И.В. Рыжиков, Ю.И. Сулейманов, Ю.М. Шайдак. ФТП, \bf 10, 2801 (1968)
  2. R.W. Brander, R.P. Sutton. Brit. J. Appl. Phys., \bf 2, 309 (1969)
  3. S.U. Hagen, A.W.C. Kemanade, J.A.W. van der Does de Bye. J. Luminesc., \bf 8, 18 (1973)
  4. A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc., \bf 124, 241 (1977)
  5. M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., \bf 50, 8215 (1979)
  6. В.И. Соколов. \it Матер. II Всес. совещ. по широкозонным полупроводникам (Л., 1980) с. 301
  7. W. von Munch, W. Kukzinder. Sol. St. Electron., \bf 21, 1129 (1978)
  8. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, \bf 22, 2842 (1980)
  9. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 11, 246 (1985)
  10. L. Hoffman, G. Ziegler, D. Theis, G. Weynich. J. Appl. Phys., \bf 53, 6962 (1982)
  11. Б.И. Вишневская, В.А. Дмитриев, И.Д. Коваленко, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.С. Родкин, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 22, 664 (1988)
  12. J.A. Edmond, Hua-Shuang Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, \bf 185, 453 (1993)
  13. Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, \bf 12, 2918 (1970)
  14. H.J. van Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., \bf 24, 109 (1963)
  15. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 28, 457 (1994)
  16. М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 22, 298 (1988)
  17. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 24, 1384 (1990)
  18. А.Н. Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 28, 729 (1994)
  19. М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 28, 444 (1994)
  20. Дж. Блэкмор. \it Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme