Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электролюминесценция 6H-SiC p-n-структур, легированных алюминием
Лебедев А.А.1, Полетаев Н.К.1, Растегаева М.Г.1, Савкина Н.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 31 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
Проведено исследование спектров электролюминесценции 6H-SiC p+-n-структур, как полученных по обычной сублимационной технологии, так и с легированной Al и N в процессе роста n-базой ( SiC< Al,N>). Обнаружено, что появление в спектре электролюминесценции легированных образцов максимумов излучения в диапазоне энергий (2.5-2.8) эВ соответствует образованию в данных структурах глубоких центров типа HK1 (Ev+0.22 эВ) и HK2 (Ev+0.27 эВ). Обнаружено, что спектры электролюминесценции образцов SiC< Al,N> сильно зависят от плотности прямого тока J и, возможно, при малом и большом J обусловлены различными механизмами рекомбинации. Показано, что характеристики спектра излучения легированных образцов при высоком уровне возбуждения могут быть объяснены излучательной рекомбинацией с участием центра HK1.
- В.И. Павличенко, И.В. Рыжиков, Ю.И. Сулейманов, Ю.М. Шайдак. ФТП, \bf 10, 2801 (1968)
- R.W. Brander, R.P. Sutton. Brit. J. Appl. Phys., \bf 2, 309 (1969)
- S.U. Hagen, A.W.C. Kemanade, J.A.W. van der Does de Bye. J. Luminesc., \bf 8, 18 (1973)
- A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc., \bf 124, 241 (1977)
- M. Ikeda, T. Hayakawa, S. Yamagiva, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Appl. Phys., \bf 50, 8215 (1979)
- В.И. Соколов. \it Матер. II Всес. совещ. по широкозонным полупроводникам (Л., 1980) с. 301
- W. von Munch, W. Kukzinder. Sol. St. Electron., \bf 21, 1129 (1978)
- M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, \bf 22, 2842 (1980)
- В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 11, 246 (1985)
- L. Hoffman, G. Ziegler, D. Theis, G. Weynich. J. Appl. Phys., \bf 53, 6962 (1982)
- Б.И. Вишневская, В.А. Дмитриев, И.Д. Коваленко, Л.М. Коган, Я.В. Морозенко, В.С. Родкин, А.Л. Сыркин, Б.В. Царенков, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 22, 664 (1988)
- J.A. Edmond, Hua-Shuang Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, \bf 185, 453 (1993)
- Г.А. Ломакина, Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов. ФТТ, \bf 12, 2918 (1970)
- H.J. van Daal, W.F. Knippenberg, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., \bf 24, 109 (1963)
- М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.С. Савкина, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 28, 457 (1994)
- М.М. Аникин, А.А. Лебедев, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, В.Е. Челноков. ФТП, \bf 22, 298 (1988)
- М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 24, 1384 (1990)
- А.Н. Андреев, М.М. Аникин, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 28, 729 (1994)
- М.М. Аникин, Н.И. Кузнецов, А.А. Лебедев, Н.К. Полетаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, \bf 28, 444 (1994)
- Дж. Блэкмор. \it Статистика электронов в полупроводниках (М., Мир, 1964)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
