Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптические свойства монокристаллов CuIn_0.95Ga_0.05Se₂

Боднарь И.В.¹, Вайполин,-=SUP=-$-=/SUP=- А.А.¹, Полушина,-=SUP=-$-=/SUP=- И.К.¹, Рудь,-=SUP=-$-=/SUP=- В.Ю.¹, Рудь-=SUP=-$-=/SUP=- Ю.В.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 30 марта 1994 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы твердого раствора CuIn_0.95Ga_0.05Se₂ с решеткой халькопирита. Выполнены комплексные исследования оптических свойств монокристаллов n- CuIn_0.95Ga_0.05Se₂ и поверхностно-барьерных структур на их основе. Установлено, что введение в соединение CuInSe₂ атомов галлия вызывает увеличение ширины запрещенной зоны при сохранении оптической анизотропии, свойственной одноосным позиционно упорядоченным кристаллам с решеткой халькопирита.

\it Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J.Coutts, L.L.Kazmerski, S.Wagner (Elsevier, Amsterdam, 1986)
L.L. Kazmerski. \it Abstracts ICTMC-9. (Japan, Yokohama, 1993) p. 263
T. Yamaguchi, M. Suzuki. \it Abstracts ICTMC-9 (Japan, Yokohama, 1993) p. 18
H. Tanino, H. Deai, H. Nakanishi. \it Abstracts ICTMC-9 (Japan, Yokohama, 1993) p. 161
V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, I.V. Bodnar, Yu.V. Rud', M.A. Magomedov. Thin Sol. Films, \bf 232, 139 (1993)
И.В. Боднарь, А.А. Вайполин, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, \bf 28 (1993)
Ю.В. Рудь. Изв. вузов СССР. Физика, 29, 68 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель