Исследовано пространственное распределение интенсивности экситонной и донорно-акцепторной фотолюминесценции эпитаксиальных слоев SiC-6H. Квантовый выход люминесценции этих полос хаотически изменяется по площади эпитаксиального слоя с характерным масштабом флуктуаций 3-5 мм. Установлено, что среднее относительное отклонение амплитуды полос люминесценции зависит от концентрации легирующих примесей и степени компенсации проводимости, а также от температуры образца. Температурные и концентрационные зависимости макроскопических пространственных флуктуаций экситонной люминесценции свидетельствуют о локализации экситонов мелкомасштабными флуктуациями потенциального рельефа зон в компенсированных образцах и в образцах p-типа карбида кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.