"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пространственная неоднородность краевой люминесценции в эпитаксиальных слоях SiC- 6 H
Морозенко Я.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследовано пространственное распределение интенсивности экситонной и донорно-акцепторной фотолюминесценции эпитаксиальных слоев SiC-6H. Квантовый выход люминесценции этих полос хаотически изменяется по площади эпитаксиального слоя с характерным масштабом флуктуаций 3--5 мм. Установлено, что среднее относительное отклонение амплитуды полос люминесценции зависит от концентрации легирующих примесей и степени компенсации проводимости, а также от температуры образца. Температурные и концентрационные зависимости макроскопических пространственных флуктуаций экситонной люминесценции свидетельствуют о локализации экситонов мелкомасштабными флуктуациями потенциального рельефа зон в компенсированных образцах и в образцах p-типа карбида кремния.
  • В.В. Евстропов, И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко, Ф.Г. Пикус. ФТП, \bf 26, 969 (1992)
  • В.А. Дмитриев, И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 18, 19 (1992)
  • В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 12, 240 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.