"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Пространственная неоднородность краевой люминесценции в эпитаксиальных слоях SiC- 6 H
Морозенко Я.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследовано пространственное распределение интенсивности экситонной и донорно-акцепторной фотолюминесценции эпитаксиальных слоев SiC-6H. Квантовый выход люминесценции этих полос хаотически изменяется по площади эпитаксиального слоя с характерным масштабом флуктуаций 3--5 мм. Установлено, что среднее относительное отклонение амплитуды полос люминесценции зависит от концентрации легирующих примесей и степени компенсации проводимости, а также от температуры образца. Температурные и концентрационные зависимости макроскопических пространственных флуктуаций экситонной люминесценции свидетельствуют о локализации экситонов мелкомасштабными флуктуациями потенциального рельефа зон в компенсированных образцах и в образцах p-типа карбида кремния.
  1. В.В. Евстропов, И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко, Ф.Г. Пикус. ФТП, \bf 26, 969 (1992)
  2. В.А. Дмитриев, И.Ю. Линьков, Я.В. Морозенко, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 18, 19 (1992)
  3. В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, \bf 12, 240 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.