"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Интерфейсная люминесценция GaAs/GaAlAs-структур: связь с условиями формирования гетерограницы
Бессолов В.Н.1, Евстропов В.В.1, Лебедев М.В.1, Россин В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Изучалась фотолюминесценция одиночных гетероструктур GaAs/GaAlAs в зависимости от условий формирования гетерограницы (температуры эпитаксии, концентрации доноров в GaAs, движущей силы кристаллизации). В спектрах фотолюминесценции наряду с полосами объемной люминесценции GaAS и GaAlAs присутствует полоса, обусловленная наличием гетерограницы (полоса интерфейсной люминесценции). Показано, что существование интерфейсной люминесценции пороговым образом зависит от температуры формирования гетерограницы: интерфейсная люминесценция появляется, если температура выше некоторой TF cr, и исчезает, если ниже. При этом пороговая температура TF cr уменьшается с уменьшением движущей силы кристаллизации при формировании гетерограницы и зависит от совершенства узкозонной области (GaAs) гетероструктуры. Пороговый характер возникновения и исчезновения интерфейсной люминесценции объясняется с помощью двух модельных представлений. Во-первых, предполагается, что интерфейснаая люминесценция обусловлена аннигиляцией интерфейсного экситона, образованного двумерным электроном на гетерогранице и трехмерной дыркой, и, во-вторых, предполагается, что смена механизмов формирования гетерограницы при фазовом переходе огрубления поверхности подложки приводит к скачкообразному уменьшению неоднородностей в плоскости гетерограницы, что способствует образованию интерфейсного экситона.
  1. Y.R. Yuan, K. Mohammed, M.A. Pudensi, J.L. Merz. Appl. Phys. Lett., \bf 45, 739 (1984)
  2. V. Kukushkin, K.V. Klitzing, K. Ploog. Phys. Rev. B, \bf 37, 8509 (1988)
  3. Г.Т. Айтиева, В.Н. Бессолов, А.С. Волков, В.В. Евстропов, К.В. Киселев, Г.Г. Кочиев, А.Л. Липко, Б.В. Царенков. ФТП, \bf 20, 1313 (1986)
  4. А.М. Васильев, П.С. Копьев, В.П. Кочерешко, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, И.Н. Уральцев, В.М. Устинов, Д.В. Яковлев. ФТП, \bf 20, 353 (1986)
  5. Q.X. Zhao, J.P. Bergman, P.O.Holtz, B. Monemar, C. Hallin, M. Sundaram, J.L. Merz, A.С. Gossard. Semicond. Sci. Techn., \bf 5, 884 (1990)
  6. J.L. Bradshaw, W.J. Choyke, R.P. Devaty, R.L. Messham. J. Luminesc., \bf 47, 249 (1991)
  7. P.W. Yu, C.K. Peng, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 1546 (1989)
  8. J.A. Chen, C.K. Wang, H.H. Lin, W.S. Wang, S.C. Lee. J. Appl. Phys., \bf 68, 2140 (1990)
  9. M. Tanaka, H. Sakaki, J. Yoshino. Japan. J. Appl. Phys., \bf 25, L155 (1986)
  10. U. Morlock, H.J. Queisser. Phil. Mag. A, 64, 165 (1991)
  11. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 17(7), 17 (1991)
  12. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, Е.А. Убушиев, С.С. Утнасунов, А.Е. Чередниченко. Письма ЖЭТФ, \bf 43, 371 (1986)
  13. Н.С. Аверкиев, Г.Е. Пикус. ФТП, 21, 1493 (1987)
  14. T. Nishinaga, K. Mochizuki, H. Yoshinaga, C. Sasaoka, M. Washiyama. J. Cryst. Growth, \bf 98, 98 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.