"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетероструктурах InGaAsP/InP
Карачевцева М.В.1, Страхов В.А.1, Яременко Н.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 26 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

В диапазоне температур 77/350 K исследованы вольт-амперные характеристики неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP. Наблюдаемые особенности объяснены в рамках модели туннельно-рекомбинационных токов, учитывающей перезарядку поверхностных состояний на гетерогранице с изменением напряжения и температуры. Оценена плотность поверхностных состояний и получены параметры зонной диаграммы.
  1. А.Я. Шик, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 15, 1385 (1981)
  2. А.Я. Шик. ФТП, 17, 1295 (1983)
  3. М.В. Карачевцева, В.А. Страхов, Н.Г. Яременко. ФТП, \bf 22, 1936 (1988)
  4. А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.В. Евстропов, В.Г. Сидоров, И.С. Тарасов, Л.М. Федоров. ФТП, \bf 18, 1034 (1984)
  5. А.Т. Гореленок, В.Г. Груздов, В.В. Евстропов, В.Г. Сидоров, И.С. Тарасов, Л.М. Федоров. ФТП, \bf 18, 1413 (1984)
  6. В.А. Страхов, Н.Г. Яременко, А.А. Телегин, В.А. Оганджанян, М.В. Карачевцева, Л.Ф. Михалева, В.И. Петров, В.А. Прохоров. ФТП, \bf 19, 601 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.