Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптические исследования GaAs/AlAs структур с изолированными кластерами GaAs, выращенных на поверхности с высокими индексами Миллера
Максимов М.В.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Иванов С.В.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Мельцер Б.Я.1, Табатадзе И.Г.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
Осаждение небольшого количества GaAs на фасетированную поверхность AlAs (311) приводит к формированию кластеров, длина и характер распределения по поверхности которых определяются параметрами роста. Внедрение кластеров в барьер AlAs, разделяющий две квантовые ямы GaAs, приводит к появлению в спектре фотолюминесценции новых линий. Интенсивность и спектральное положение таких линий определяются геометрическими параметрами структуры и условиями роста. Значительное увеличение силы осциллятора экситона, локализованного длинными кластерами, говорит о квазиодномерном характере электронного спектра в рассматраваемых структурах. В случае оптимальных условий выращивания линия, соответствующая длинным кластерам, доминирует в спектре фотолюминесценции вплоть до больших плотностей возбуждения и высоких температур наблюдения.
- H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
- M.L. Roukes, A. Scherer, S.J. Allen, H.G. Grainhead, R.M. Ruthen, E.D. Beebe, J.P. Harbison. Phys. Rev. Lett., \bf 59, 3011 (1987)
- M. Kohl, D. Heitman, P. Grambow, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., \bf 63, 2124 (1989)
- M. Tsuchiya, J.M. Gaines, R.H. Yan, R.J. Simes, P.O. Holtz, L.A. Coldren, P.M. Petroff. Phys. Rev. Lett., \bf 62, 466 (1989)
- D. Gershoni, J.S. Weiner, S.N. Chu, G.A. Baraff, J.M. Vandenberg, L.N. Pfeifer, K. West, R.A. Logan, T. Tanbun-Ek. Phys. Rev. Lett., 1990, \bf 65, 1631 (1986)
- S.A. Chalmers, A.C. Gossard, A.L. Weisenhorn, S.A.C. Gould, B. Drake, P.K. Hansma. Appl. Phys. Lett., \bf 55, 2492 (1989)
- P.N. Uppal, J.S. Ahearn, D.P. Musser. J. Appl. Phys., \bf 62, 3766 (1987)
- S. Subbana, H. Kroemer, J.L. Merz. J. Appl. Phys., \bf 59, 486 (1986)
- R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, M. Hohenstein, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., \bf 68, 3812 (1991)
- R. Notzel, N.N. Ledentsov, L.A. Daweritz, K. Ploog, M. Hohenstein. Phys. Rev. B, \bf 45, 3507 (1992)
- R. Notzel, L.A. Daweritz, N.N. Ledentsov, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 1615 (1992)
- R. Notzel, L. Daweritz, N.N. Ledentsov, K. Ploog. Surf. Sci., \bf 267, 209 (1992)
- R. Notzel, K. Ploog. J. Vac. Sci. Techn. B, \bf 10, 2034 (1992)
- R. Notzel, L. Daweritz, K. Ploog. Phys. Rev. B, \bf 46, 4736 (1992)
- A.J. Shields, R. Notzel, M. Cardona, L. Daweritz, K. Ploog. Appl. Phys. Lett., \bf 60, 2537 (1992)
- H. Kalt, R. Notzel, K. Ploog, H. Giessen. Sol. St. Commun., \bf 83, 285 (1992)
- Y. Yamamoto, M. Inai, T. Takebe, M. Fujii, K. Kobayashi. \it Workbook 7th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, August 24--28, 1992 (Schwablische Gemund, Germany) Th2.3
- R. Mirin, M. Krishnamurthy, J. Ibbetson, J. English, A. Gossard. \it Workbook 7th Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy, August 24--28, 1992 (Schwablische Gemund, Germany) ThP.3
- M. Sato, K. Maehashi, H. Asahi, S. Hasegawa, H. Nakashima. Superlatt. Microstruct., \bf 7, 279 (1990)
- J. Chang Yi, N. Dagli, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., \bf 59, 3015 (1991)
- N.N. Ledentsov. \it Report on the NATO ASI School on the Optical Properties of Semiconductors, March 7--19, 1992 (Erice, Italy)
- Zh.I. Alferov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, B.Ya. Meltser, V.M. Ustinov. Fiz. Tekn. Poluprovod. (Sov. Phys. Semicond.), \bf 26, 1715 (1992)
- E.L. Ivchenko, A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. \it Proc. 6th Int. Conf. on Semicond. Superlat., Microstruct. a. Microdevices, August 4--7, 1992
- P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. Sov. Phys. Semicond., \bf 22, 1093 (1988)
- S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, \bf 104, 345 (1990)
- S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, \bf 108, 661 (1991)
- S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. Mater. Sci. Forum, \bf 69, 9 (1991)
- S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev and N.N. Ledentsov. J. Cryst. Growth, \bf 111, 151 (1991)
- Zh.I. Alferov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov, M.E. Lutsenko, B.Ya. Meltser, M.I. Nemenov, S.V. Shaposhnikov, Sov. Phys. Semicond., \bf 24, 92 (1990)
- P.S. Kop'ev, N.N. Ledentsov. Sov. Phys. Semicond., \bf 24, 1058 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
