Вышедшие номера
Дозовая зависимость интенсивности зеленой люминесценции монокристаллов сульфида кадмия при облучении электронами с E= 1.2 МэВ
Давидюк Г.Е.1, Богданюк Н.С.1, Шаварова А.П.1
1Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
Поступила в редакцию: 12 января 1994 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1994 г.

На основе линейности дозовой зависимости интенсивности зеленой люминесценции (lambdam=514 нм при 77 K) на начальных этапах облучения (до дозы Phi<1017 электрон/см2), наибольшей и одинаковой для нелегированных и легированных Cu образцов скорости введения центров зеленой люминесценции, делается вывод об ответственности за эти центры первичных точечных дефектов в подрешетке серы монокристаллов CdS. Анализ дозовых зависимостей интенсивностей других полос люминесценции с lambdam=600 нм, lambdam=720 нм, lambdam=1.03 мкм свидетельствует о сложной природе дефектов, ответственных за эти центры люминесценции. Делается вывод о неподвижности V Cd и V S при температурах облучения до 273-290 K. При облучении вводятся быстрые центры рекомбинации, которые при больших дозах Phi>1017 электрон/см2 уменьшают фоточувствительность облучаемых образцов и гасят все полосы люминесценции. Делается предположение об ответственности за эти центры первичных дефектов в подрешетке кадмия монокристаллов CdS.
  1. B.A. Kulp, R.H. Kelley. J. Appl. Phys., 31, 1957 (1960)
  2. Н.М. Кролевец, Н.Е. Корсунская, Т.А. Торчинская, Н.С. Халимова. ФТТ, \bf 13, 1824 (1979)
  3. В.В. Дякин, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, \bf 11, 576 (1977)
  4. М.К. Шейнкман, А.В. Любченко, Е.А. Сальков, В.Ф. Гринь. ФТП, \bf 9, 1507 (1975)
  5. И.Б. Ермолович, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. ФТП, \bf 2, 1639 (1968)
  6. Р.Е. Холстед. \it Физика и химия соединений A^IIB^VI (М., 1970) с. 319
  7. O. Goede, E. Gutsche. Phys. St. Sol., 17, 911 (1966)
  8. А.Н. Георгобиани, А.Н. Грузницев, И.М. Тигиняну. Изв. АН СССР. Сер. физ., \bf 49, 1899 (1985)
  9. В.Е. Лакшарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в фотопроводниках (Киев, 1981)
  10. А.П. Галушка, Г.Е. Давидюк, В.Т. Мак, В.И. Куц, Н.С. Богданюк. Изв. вузов. Физика, N 10. \bf 128 (1977)
  11. G.D. Watkins. \it Technical information series. General electrik Research and development center. Schenectaly (N.Y. September, 1970) p. 151
  12. Н.Б. Корсунская, И.В. Маркевич, М.К. Шейнкман. \it Радиационные дефекты в полупроводниках (Минск, 1972) с. 184

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.