Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электронные свойства поверхности карбида кремния ромбоэдрической модификации 15 R
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 4 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
В области (300/100) K исследованы температурные зависимости поверхностного потенциала varphis на поверхностях (0001)Si и (0001)C n-SiC-15R. Обнаружено, что на обеих поверхностях присутствуют слои истощения, а величина varphis и зависимости varphis(T) определяются физико-химическим состоянием поверхностей. На электролитически окисленной поверхности (0001)Si зависимости varphis имеют N-образный характер, а на окисленной поверхности (0001)C и обработанных в HF поверхностях (0001)Si и (0001)C - V-образный характер. При использовании результатов измерения эффекта Холла и зависимостей varphis(T) рассчитаны изменения с температурой заряда Qs в поверхностных состояниях (ПЭС) и положения уровня Ферми на поверхностях полупроводника при различных температурах. Сделан вывод, что характер зависимостей Qs(T) определяется при понижении температуры зарядкой ПЭС и уменьшением электронного заряда в ПЭС за счет перестройки самой системы ПЭС. Обнаружен и исследован эффект фотопамяти поверхностного потенциала, связанный с захватом неравновесных дырок на поверхностные ловушки при освещении SiC-15R.
- Ю.М. Алтайский, Ю.Н. Литвинов. Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники (М., 1984)
- Ю.А. Водаков, А.Г. Остроумов. Измерения, контроль, автоматизация. N 2/62, 53 (1987)
- P.A. Ivanov, E.V. Chelnokov. Semicond. Sci. Techn., \bf 7, 863 (1992)
- С.Ф. Авраменко, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.С. Киселев, В.Е. Примаченко, О.Т. Сергеев, В.А. Чернобай. УФЖ, \bf 38, 268 (1993)
- Ю. Лауке, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, Ф. Щепански. Неорганические материалы, \bf 17, 254 (1981)
- А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, 1984)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Поверхность, N 12, 85 (1990)
- С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай, О.В. Снитко. Поверхность, N 11, 74 (1991)
- Карбид кремния (строение, свойства и области применения), под ред. И.Н. Францевича (Киев, 1966)
- Карбид кремния, под ред. Г. Хениша и Р. Роя (М., 1972)
- Ю.И. Горкун. ФТТ, 3, 1061 (1961)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
