"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронные свойства поверхности карбида кремния ромбоэдрической модификации 15 R
Авраменко С.Ф.1, Вайнберг В.В.1, Венгер Е.Ф.1, Кириллова С.И.1, Киселев В.С.1, Примаченко В.Е.1, Чернобай В.А.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 4 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

В области (300/100) K исследованы температурные зависимости поверхностного потенциала varphis на поверхностях (0001)Si и (0001)C n-SiC-15R. Обнаружено, что на обеих поверхностях присутствуют слои истощения, а величина varphis и зависимости varphis(T) определяются физико-химическим состоянием поверхностей. На электролитически окисленной поверхности (0001)Si зависимости varphis имеют N-образный характер, а на окисленной поверхности (0001)C и обработанных в HF поверхностях (0001)Si и (0001)C --- V-образный характер. При использовании результатов измерения эффекта Холла и зависимостей varphis(T) рассчитаны изменения с температурой заряда Qs в поверхностных состояниях (ПЭС) и положения уровня Ферми на поверхностях полупроводника при различных температурах. Сделан вывод, что характер зависимостей Qs(T) определяется при понижении температуры зарядкой ПЭС и уменьшением электронного заряда в ПЭС за счет перестройки самой системы ПЭС. Обнаружен и исследован эффект фотопамяти поверхностного потенциала, связанный с захватом неравновесных дырок на поверхностные ловушки при освещении SiC-15R.
  • Ю.М. Алтайский, Ю.Н. Литвинов. Карбид кремния как материал современной оптоэлектроники и полупроводниковой техники (М., 1984)
  • Ю.А. Водаков, А.Г. Остроумов. Измерения, контроль, автоматизация. N 2/62, 53 (1987)
  • P.A. Ivanov, E.V. Chelnokov. Semicond. Sci. Techn., \bf 7, 863 (1992)
  • С.Ф. Авраменко, Е.Ф. Венгер, С.И. Кириллова, В.С. Киселев, В.Е. Примаченко, О.Т. Сергеев, В.А. Чернобай. УФЖ, \bf 38, 268 (1993)
  • Ю. Лауке, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, Ф. Щепански. Неорганические материалы, \bf 17, 254 (1981)
  • А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников (Киев, 1984)
  • С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, О.В. Снитко, В.А. Чернобай. Поверхность, N 12, 85 (1990)
  • С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай, О.В. Снитко. Поверхность, N 11, 74 (1991)
  • Карбид кремния (строение, свойства и области применения), под ред. И.Н. Францевича (Киев, 1966)
  • Карбид кремния, под ред. Г. Хениша и Р. Роя (М., 1972)
  • Ю.И. Горкун. ФТТ, 3, 1061 (1961)
  • В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., 1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.