В области (300/100) K исследованы температурные зависимости поверхностного потенциала varphi_s на поверхностях (0001)Si и (0001)C n-SiC-15R. Обнаружено, что на обеих поверхностях присутствуют слои истощения, а величина varphi_s и зависимости varphi_s(T) определяются физико-химическим состоянием поверхностей. На электролитически окисленной поверхности (0001)Si зависимости varphi_s имеют N-образный характер, а на окисленной поверхности (0001)C и обработанных в HF поверхностях (0001)Si и (0001)C - V-образный характер. При использовании результатов измерения эффекта Холла и зависимостей varphi_s(T) рассчитаны изменения с температурой заряда Q_s в поверхностных состояниях (ПЭС) и положения уровня Ферми на поверхностях полупроводника при различных температурах. Сделан вывод, что характер зависимостей Q_s(T) определяется при понижении температуры зарядкой ПЭС и уменьшением электронного заряда в ПЭС за счет перестройки самой системы ПЭС. Обнаружен и исследован эффект фотопамяти поверхностного потенциала, связанный с захватом неравновесных дырок на поверхностные ловушки при освещении SiC-15R.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.