"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Метод очистки поверхности карбида кремния в условиях высокого вакуума
Андреев А.Н.1, Аникин М.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Предложена методика очистки поверхности карбида кремния, включающая предварительное окисление и последующее удаление окисла в условиях высокого вакуума посредством бомбардировки электронами определенной энергии. Это позволяет получить ненарушенную, свободную от загрязнений поверхность SiC-6H. Приведены результаты контроля за чистотой поверхности на всех этапах обработки методами оже-спектроскопии.
  1. А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.Н. Санкин. Письма ЖТФ, \bf 7, 1335 (1981)
  2. М.М. Аникин, Н.Б. Гусева, В.А. Дмитриев, А.Л. Сыркин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., N 10, 1768 (1984)
  3. J.S. Johannessen, W.E. Spicer, Y.E. Strausser. J. Appl. Phys., \bf 47, 3028 (1976)
  4. D.M. Matox. Thin Sol. Films, 53, 81 (1978)
  5. P.M. Hall, J.M. Morabito. Surf. Sci., 83, 391 (1979)
  6. L. Muehlhoff, W.J. Choyke, M.J. Bozack, J.T. Yates. J. Appl. Phys., \bf 60, 2842 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.