Предложена методика очистки поверхности карбида кремния, включающая предварительное окисление и последующее удаление окисла в условиях высокого вакуума посредством бомбардировки электронами определенной энергии. Это позволяет получить ненарушенную, свободную от загрязнений поверхность SiC-6H. Приведены результаты контроля за чистотой поверхности на всех этапах обработки методами оже-спектроскопии.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.