Низкочастотная электромеханическая релаксация в пьезополупроводниках
Свиридов В.В.1, Ярославцев Н.П.1
1Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
Представлены результаты компьютерного моделирования затухания упругих колебаний килогерцевого диапазона в высокоомных пьезополупроводниках, обусловленного свободными носителями заряда. Показано, что характеристики затухания зависят от соотношения дебаевской длины экранирования и размеров образца. Изменение проводимости образца приводит к сдвигу максимума затухания по температуре с сохранением его высоты. Делается вывод, что максвелловский механизм релаксации недостаточен для объяснения экспериментально установленных ранее особенностей электромеханической релаксации в материалах AIIIBV и AIIBVI, компенсированных введением глубоких центров.
- А. Новик, Б. Берри. \it Релаксационные явления в кристаллах (М., Атомиздат, 1975)
- В.Л. Гуревич. ФТП, 2, 1557 (1968)
- Р. Труэлл, Ч. Эльбаум, Б. Чик. \it Ультразвуковые методы в физике твердого тела (М., Мир, 1972)
- В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, Н.П. Ярославцев. ФТТ, \bf 26, 2228 (1984)
- В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев. ФТТ, \bf 27, 2081 (1985)
- D. Laszig, P. Haasen. Phys. St. Sol. (a), \bf 104, K 105 (1987)
- В.В. Свиридов. ФТП, 21, 2172 (1987)
- V.I. Mitrokhin, S.I. Rembeza, V.V Sviridov, N.P. Yaroslavtsev. Phys. St. Sol. (a), \bf 119, 535 (1990)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук