"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Низкочастотная электромеханическая релаксация в пьезополупроводниках
Свиридов В.В.1, Ярославцев Н.П.1
1Воронежский государственный педагогический институт,, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Представлены результаты компьютерного моделирования затухания упругих колебаний килогерцевого диапазона в высокоомных пьезополупроводниках, обусловленного свободными носителями заряда. Показано, что характеристики затухания зависят от соотношения дебаевской длины экранирования и размеров образца. Изменение проводимости образца приводит к сдвигу максимума затухания по температуре с сохранением его высоты. Делается вывод, что максвелловский механизм релаксации недостаточен для объяснения экспериментально установленных ранее особенностей электромеханической релаксации в материалах AIIIBV и AIIBVI, компенсированных введением глубоких центров.
  1. А. Новик, Б. Берри. \it Релаксационные явления в кристаллах (М., Атомиздат, 1975)
  2. В.Л. Гуревич. ФТП, 2, 1557 (1968)
  3. Р. Труэлл, Ч. Эльбаум, Б. Чик. \it Ультразвуковые методы в физике твердого тела (М., Мир, 1972)
  4. В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, Н.П. Ярославцев. ФТТ, \bf 26, 2228 (1984)
  5. В.И. Митрохин, С.И. Рембеза, В.В. Свиридов, Н.П. Ярославцев. ФТТ, \bf 27, 2081 (1985)
  6. D. Laszig, P. Haasen. Phys. St. Sol. (a), \bf 104, K 105 (1987)
  7. В.В. Свиридов. ФТП, 21, 2172 (1987)
  8. V.I. Mitrokhin, S.I. Rembeza, V.V Sviridov, N.P. Yaroslavtsev. Phys. St. Sol. (a), \bf 119, 535 (1990)
  9. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.