Представлены результаты компьютерного моделирования затухания упругих колебаний килогерцевого диапазона в высокоомных пьезополупроводниках, обусловленного свободными носителями заряда. Показано, что характеристики затухания зависят от соотношения дебаевской длины экранирования и размеров образца. Изменение проводимости образца приводит к сдвигу максимума затухания по температуре с сохранением его высоты. Делается вывод, что максвелловский механизм релаксации недостаточен для объяснения экспериментально установленных ранее особенностей электромеханической релаксации в материалах A^IIIB^V и A^IIB^VI, компенсированных введением глубоких центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.