Прогнозирование стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе фундаментальных характеристик пленок a-Si:H
Попов И.А.1, Назарова Л.Д.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
Исследуется возможность прогнозирования стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе измеряемых фундаментальных характеристик пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Показано, что такая оценка может быть проведена на основе системы параметров a-Si:H, включающей sigmad, sigmaph и Ea.
- Электронная промышленность, 1--2, 85 (1993)
- О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991)
- В.А. Лигачев, В.Н. Гордеев, В.А. Филиков, Х. Сулейман. ФТП, \bf 25, 1536 (1991)
- А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, О.Н. Становов. ФТП, \bf 25, 1808 (1991)
- А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, Е.Л. Приходько, А.Ю. Сазонов. ФТП, \bf 25, 1802 (1991)
- И.А. Попов, К.В. Рязанов. Матер. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (МНТОРЭС, 63, 1993)
- Б.И. Казуров, Э.Н. Воронков, И.А. Попов, Б.П. Черноротов. Электронная промышленность, \bf 3, 25 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук