"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Прогнозирование стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе фундаментальных характеристик пленок a-Si:H
Попов И.А.1, Назарова Л.Д.1
1Московский энергетический институт,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.

Исследуется возможность прогнозирования стабильности параметров тонкопленочных транзисторов на основе измеряемых фундаментальных характеристик пленок аморфного гидрогенизированного кремния. Показано, что такая оценка может быть проведена на основе системы параметров a-Si:H, включающей sigmad, sigmaph и Ea.
  1. Электронная промышленность, 1--2, 85 (1993)
  2. О.А. Голикова. ФТП, 25, 1517 (1991)
  3. В.А. Лигачев, В.Н. Гордеев, В.А. Филиков, Х. Сулейман. ФТП, \bf 25, 1536 (1991)
  4. А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, О.Н. Становов. ФТП, \bf 25, 1808 (1991)
  5. А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, Е.Л. Приходько, А.Ю. Сазонов. ФТП, \bf 25, 1802 (1991)
  6. И.А. Попов, К.В. Рязанов. Матер. науч.-техн. сем. "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (МНТОРЭС, 63, 1993)
  7. Б.И. Казуров, Э.Н. Воронков, И.А. Попов, Б.П. Черноротов. Электронная промышленность, \bf 3, 25 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.