Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 1994, выпуск 10 » Статья стр. 1681
>>>
Омический контакт металл--полупроводник AIIIBV: методы создания и свойства. О б з о р
Гольдберг Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.
PDF версия
Рассмотрены методы создания и характеристики омических контактов металл-полупроводник AIIIBV. Приведена энергетическая диаграмма контакта в случаях, когда барьер между металлом и полупроводником устранен, сужен (за счет образования приповерхностного сильно легированного слоя) или снижен (за счет создания узкозонного слоя). Приведены характеристики омических контактов, изготовленных путем вплавления, химических реакций в твердой фазе, лазерного отжига, эпитаксии, диффузии, ионной имплантации, изменения свойств поверхности полупроводника. Проанализированы теоретические и экспериментальные зависимости сопротивления омических контактов от концентрации носителей заряда и ширины заперещенной зоны полупроводника в случаях, когда сопротивление определяется протеканием тока через границу металл-полупроводник либо через l-h-переход, созданный вблизи этой границы.
  1. W. Shottky. Z. Phys, 118 B, 539 (1942)
  2. A.K. Henish. \it Rectifying semiconductor contacts (Claredon Press, Oxford, 1957)
  3. А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  4. Э.Х. Родерик. \it Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  5. J. Bardeen. Phys. Rev., 71, 717 (1947)
  6. C.A. Mead. Sol. St. Electron., 9, 1023 (1966)
  7. Ю.А. Гольдберг, Т.Ю. Рафиев, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, \bf6, 462 (1972)
  8. C.A. Mead, W.G. Spitzer. Phys. Rev. Lett., \bf 10, 471 (1963)
  9. J.N. Walpole. K.W. Nill. J. Appl. Phys., \bf 42, 5609 (1971)
  10. W.E. Spicer, I. Lindau, P.E. Gregory, C.M. Garner, P. Pianetta, P.V. Chye. J. Vac. Sci. Techn., \bf 13, 780 (1976)
  11. W.E. Spicer, I. Lindau, P. Skeath, C.Y. Su. J. Vac. Sci. Techn., \bf 17, 1019 (1980)
  12. Ю.А. Гольдберг, М.И. Ильина, Е.А. Поссе, Б.В. Царенков. ФТП, \bf 22, 555 (1988)
  13. J.L. Freeouf, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., \bf 39, 727 (1981)
  14. J.M. Woodall, J.L. Freeouf, J. Vac. Sci Techn., \bf 21, 574 (1982)
  15. T. Sebestyen. Sol. St. Electron., 25, 543 (1982)
  16. A. Robinson. Science, 238, N 4823, 27 (1987)
  17. W.O. Barnard, G. Myburg, F.D. Auret. Appl. Phys. Lett., \bf 61, 1933 (1992)
  18. C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., \bf 51, 33 (1987)
  19. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, M.S. Lundstrom, S.P. Tobin. Appl. Phys. Lett., \bf 52, 2157 (1988)
  20. Y. Nannishi, J.-F. Fan, H. Oigawa, A. Koma. Japan. J. Appl. Phys., \bf 27, L2367 (1988)
  21. J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannishi. Japan. J. Appl. Phys., \bf 27, L2125 (1988)
  22. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dungan. Appl. Phys. Lett., \bf 53, 66 (1988)
  23. J. Massies, J. Chaplart, M. Laviron, N.T. Linh. Appl. Phys. lett., \bf 39, 693 (1981)
  24. J.S. Forest, D. Moustakas. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 2859 (1993)
  25. A. Piotrowska. Thin Sol. Films, 193/194, 511 (1990)
  26. J.S. Harris, Y. Nannishi, G.L. Pearson, G.F. Day. J. Appl. Phys., \bf 40, 4575 (1969)
  27. J. Gyulai, J.W. Mayer, V. Rodriguez, A.Y.C. Yu, H.J. Gopen. J. Appl. Phys., \bf 42, 3578 (1971)
  28. C.Y. Chang, Y.K. Fang, S.M. Sze. Sol. St. Electron., \bf 14, 541 (1971)
  29. G.Y. Robinson. Sol. St. Electron., 18, 331 (1975)
  30. N. Yokoyama, S. Ohkawa, H. Ishikawa. Japan. J. Appl. Phys., \bf 14, 1071 (1975)
  31. H. Hartnagel, K. Tomizawa, L.H. Herron, B.L. Weiss. Thin Sol. Films, \bf 36, 393 (1976)
  32. P.D. Vyas, B.L. Sharma. Thin Sol. Films, \bf 51, L21 (1978)
  33. O. Aina, S.W. Chiang, Y.S. Liu, F. Bacon. J. Electrochem. Soc., \bf 128, 2183 (1981)
  34. M.I. Nathan, M. Heiblum. Sol. St. Electron., \bf 25, 1063 (1982)
  35. S. Yasuami, Y. Saito, A. Hojo. Japan. J. Appl. Phys., \bf 23, 379 (1984)
  36. A. Christou. Sol. St. Electron., 22, 141 (1979)
  37. C.L. Chen, L.J. Mahoney, J.D. Woodhouse, M.C. Finn, P.M. Nitishin. Appl. Phys. Lett., \bf 50, 1179 (1987)
  38. C.L. Chen, L.J. Mahoney, M.C. Finn, R.C. Brooks, A. Chu. Appl. Phys. Lett., \bf 48, 535 (1986)
  39. M. Otsubo, H. Kumabe, H. Miki. Sol. St. Electron., \bf 20, 617 (1977)
  40. Y.-C. Shih, M. Murakami, E.L. Wilkie, A.C. Callegari. J. Appl. Phys, \bf 62, 582 (1987)
  41. L. Zheng. J. Appl. Phys., 71, 3566 (1992)
  42. R.J. Graham, R.W. Nelsonm, P. Williams, T.B. Haddock, E.P. Baaklini, R.J. Roedel. J. Electron. Mater., \bf 19, 1257 (1990)
  43. L.S. Yu, L.C. Wang, E.D. Marshall, S.S. Lau, T.F. Kuech. J. Appl. Phys., \bf 65, 1621 (1989)
  44. L.C. Wang, B. Zheng, K. Fang, E.D. Marshall, S.S. Lau, T. Sands, T.F. Kuech. J. Mater. Res., \bf 3, 992 (1988)
  45. H.R. Grinolds, G.Y. Robinson. Sol. St. Electron., \bf 23, 973 (1980)
  46. K. Shenai. IEEE Trans. Electron. Dev. \bf ED-34, 1642 (1987)
  47. J.G. Werthen. D.R. Scifres. J. Appl. Phys., \bf 52, 1127 (1981)
  48. O. Aina, W. Ketz, B.J. Baliga, K. Rose. J. Appl. Phys., \bf 53, 777 (1982)
  49. A. Illiadis. J. Vac. Sci. Techn. B, 5, 1340 (1987)
  50. M.A. Dornath-Mohr, W.W. Cole, H.S. Lee, D.C. Fox, D.W. Eckart, L. Yerke, C.S. Wrenn, R.T. Lereau, W.H. Chang, K.A. Jones, F. Cosanday. J. Electron. Mater., \bf 19, 1247 (1990)
  51. Y.-C. Shih, M. Murakami, W.H. Price. J. Appl. Phys., \bf 65, 3539 (1989)
  52. R. Dutta, M.A. Shahid, P.J. Sakach. J. Appl. Phys., \bf 69, 3968 (1991)
  53. P.Sircar. Phys. St. Sol. (a), 97, K69 (1986)
  54. A. Piotrowska, A. Guivarch, G. Pelous. Sol. St. Electron., \bf 26, 179 (1983)
  55. S. Margalit, D. Fekete, D.M. Pepper, C.-P. Lee, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., \bf 33, 346 (1978)
  56. R. Stall, C.E.C.Wood, K. Board, N. Dandekar, L.F. Eastman, J. Devlin. J. Appl. Phys., \bf 52, 4062 (1981)
  57. P.D. Kircher, T.N. Jackson, G.D. Petit, J.M. Woodall. Appl. Phys. Lett., \bf 47, 26 (1985)
  58. J.M. Woodall, J.L. Freeouf, G.D. Petit, T. Jackson, P.D. Kirchner. J. Vac. Sci. Techn., \bf 19, 626 (1981)
  59. C.K. Peng, J. Chen, J. Chyi, H. Morkoc. J. Appl. Phys., \bf 64, 429 (1988)
  60. T. Nittono, H. Ito, O. Nakajima, T. Ishibashi. Japan. J. Appl. Phys., \bf 27, 1718 (1988)
  61. H. Shimawaki, N. Furuhata, K. Houjo. J. Appl. Phys., \bf 69, 7979 (1991)
  62. N.S. Kumar, J.-I. Chyi, C.K. Peng, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., \bf 55, 775 (1989)
  63. C.K. Peng, G. Ji, N.S. Kumar, H. Morkoc. Appl. Phys. Lett., \bf 53, 900 (1988)
  64. J.R. Shealy, S.R. Chinn. Appl. Phys. Lett., \bf 47, 410 (1985)
  65. K. Ohata, T. Nozaki, N. Kawamura. IEEE Trans. Electron. Dev. \bf ED-24, 1129 (1977)
  66. T. Inada, S. Kato, T. Hara, N. Toyoda. J. Appl. Phys., \bf 50, 4466 (1979)
  67. L. Mozzi, W. Fabian, F.J. Piekarski. Appl. Phys. Lett., \bf 35, 337 (1979)
  68. P.A. Pianetta, C.A. Stolte, J.L. Hansen. Appl. Phys. Lett., \bf 36, 597 (1980)
  69. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., \bf 9, 695 (1966)
  70. R.K. Kupka, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., \bf 69, 3623 (1991)
  71. М. Шур.\it Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  72. A.Y.C. Yu. Sol. St. Electron., 13, 239 (1970)
  73. S.M. Cho, J.D. Lee, H.H. Lee, J. Appl. Phys., \bf 70, 282 (1991)
  74. Wu. Dingfen, K. Heime. Electron. Lett., \bf 18, 940 (1982)
  75. Wu. Dingfen, W. Denning, K. Heine. Sol. St. Electron., \bf 29, 489 (1986)
  76. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. \it Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987)
  77. Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков. ФТП, 3, 1718 (1969)
  78. R.H. Cox, H. Strack. Sol. St. Electron., \bf 12, 89 (1969)
  79. K. Heime, U. Konig, E. Kohn, A. Wortmann. Sol. St. Electron., \bf 17, 835 (1974)
  80. H.H. Berger. J. Electrochem. Soc., 119, 507 (1972)
  81. L.Gutai, T. Mojres. Appl. Phys. Lett., \bf 26, 325 (1975)
  82. A.K. Sinha, T.E. Smith, H.J. Levinstein. IEEE Trans. Electron. Dev. \bf ED-22, 218 (1975)
  83. W.D. Edwards, W.A. Hartman, A.B. Torrens. Sol. St. Electron.,\bf 15, 387 (1972)
  84. N. Braslau. J. Vac. Sci. Techn., 19, 804 (1981)
  85. R.H. Cox, H. Strack. Sol. St. Electron., \bf 10, 1213 (1967)
  86. H. Matino, M. Tokunaga, J.W. Herrick, M.F. Adams. J. Electrochem. Soc., \bf 116, 709 (1969)
  87. R. Schwarz, J.C. Sarace. Sol. St. Electron., 9, 859 (1966)
  88. K.L. Klohn, L. Wandinge. J. Electrochem. Soc., \bf 116, 507 (1969)
  89. F. Vidimari. Electron. Lett. 15, 674 (1979)
  90. M. Ogawa, K. Ohata, T. Furutsuka, N. Kawamura. IEEE Trans. MTT, \bf MTT-24, 300 (1976)
  91. S. Asai. \it Proc 5 th Conf. of Sol. St. Dev.(Tokyo, 1973) p. 442
  92. Vipin.-Kumar, Tahur Dass Raghav. \it Techniques for making ohmic contacts (Allahabad, Vijnara Parishad, 1980)
  93. C. Ghosh, R. Yenigalla, K. Atkins. IEEE Trans. Electron. Dev. Lett., \bf EDL-4, 301 (1983)
  94. D.C. Marvin, N.A. Ives, M.S. Leung. J. Appl. Phys., \bf 58, 2659 (1985)
  95. L.C. Wang, X.Z. Wang, S.S. Lau, T. Sands, W.K. Chan, T.F. Kuech. Appl. Phys. Lett., \bf 56, 2129 (1990)
  96. Ю.А. Гольдберг, T.В. Львова, Р.В. Хасиева, Б.В. Царенков. ФТП, \bf 22, 1712 (1988)
  97. T. Clausen, O. Lestiko. Appl. Phys. Lett., \bf 62, 1108 (1993)
  98. A. Katz, S. Nakahara, W. Savin, B.E. Weir. J. Appl. Phys., \bf 68, 4133 (1990)
  99. A. Katz, C.N.G. Chu, B.E. Weir, W.C. Dautremont-Smith, R.A. Logan, T. Tabun-Ek, W. Savin, D.W. Harris. J. Appl. Phys., \bf 68, 4141 (1990)
  100. S.N.G. Chu, A. Katz, T. Boone, P.M. Thomas, Y.G. Riggs, W.C. Dautrenont-Smith, W.D. Jonston. J. Appl. Phys., \bf 67, 3754 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme