Вышедшие номера
Омический контакт металл--полупроводник AIIIBV: методы создания и свойства. О б з о р
Гольдберг Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1994 г.

Рассмотрены методы создания и характеристики омических контактов металл-полупроводник AIIIBV. Приведена энергетическая диаграмма контакта в случаях, когда барьер между металлом и полупроводником устранен, сужен (за счет образования приповерхностного сильно легированного слоя) или снижен (за счет создания узкозонного слоя). Приведены характеристики омических контактов, изготовленных путем вплавления, химических реакций в твердой фазе, лазерного отжига, эпитаксии, диффузии, ионной имплантации, изменения свойств поверхности полупроводника. Проанализированы теоретические и экспериментальные зависимости сопротивления омических контактов от концентрации носителей заряда и ширины заперещенной зоны полупроводника в случаях, когда сопротивление определяется протеканием тока через границу металл-полупроводник либо через l-h-переход, созданный вблизи этой границы.