"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Баллистическая инжекция электронов с отрицательными эффективными массами
Грибников З.С.1, Коршак А.Н.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Показано, что ограниченный пространственным зарядом баллистический ток электронов, для которых закон дисперсии содержит интервал с отрицательными эффективными массами, насыщается на протяженном промежуточном участке напряжений, причем рост напряжения (при неизменном токе) на этом участке связан с возникновением и расширением второй области пространственного заряда, располагающейся у анода. Пространство между двумя областями пространственного заряда - прикатодной и прианодной - занято квазинейтральной областью, в которой ионный заряд скомпенсирован зарядом пролетающих электронов с отрицательной эффективной массой. С дальнейшим ростом напряжения образуется прианодный квазинейтральный слой, в котором электроны имеют положительную массу, и этот слой быстро вытесняет предыдущий. Обращено внимание на конвективную неустойчивость однородного распределения концентрации пролетных электронов в диапазоне их отрицательных эффективных масс.
  1. З.С. Грибников. ФТП, 28 (1994)
  2. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. \it Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (Наука, М., 1972)
  3. M.E. Raikh, E.V. Tsiper. \it Proc. 1993 Int. Semicond. Dev. Res. Symp. (1993) v. 2, p. 577
  4. Н.А. Баннов, В.И. Рыжий, В.А. Федирко. ФТП, 17, 57 (1983)
  5. В.И. Рыжий, Н.А. Баннов, В.А. Федирко. ФТП, 18, 769 (1984)
  6. А.И. Ахиезер, Р.В. Половин. УФН, 104, 185 (1971)
  7. \it Электродинамика плазмы, под ред. А.И. Ахиезера (М., Наука, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.