"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

При определенных условиях выращивания методом молекулярно-пучковой эпитаксии происходит трансформация упруго-напряженного слоя (In,Ga)As, осаждаемого на подложке GaAs(100), в массив трехмерных зародышей. Используя данный эффект, нами были получены кластеры (In,Ga)As в матрице объемного GaAs, которые могут рассматриваться как массив квантовых точек. Показано, что температура подложки, соотношение In/Ga и средняя толщина осажденного материала оказывают влияние на процесс образования кластеров и их оптические свойства. Впервые наблюдалась лазерная генерация при инжекционной накачке с использованием в качестве активной среды массива квантовых точек, полученных непосредственно в процессе эпитаксиального выращивания структур.
  1. H. Sakaki. Japan. J. Appl. Phys., 19, L735 (1980)
  2. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, М.В. Максимов, И.Г. Табатадзе, П.С. Копьев. ФТП, \bf 28 (1994)
  3. D. Leonard, M. Krishnamurthy, C.M. Reaves, S.P. Denbaars, P.M. Petroff. Appl. Phys. Lett., \bf 63, 3203 (1993)
  4. А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, П.С. Копьев, Н.Н. Леденцов, М.В. Максимов, В.М. Устинов. ФТП, \bf 28, 604 (1994)
  5. P.I. Cohen, P.R. Pukite, J.M. van Hove, C.S. Lent. J. Vac. Sci. Techn. A, \bf 4, 1251 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.