"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дефекты в аморфном кремнии, легированном бором
Голикова О.А.1, Домашевская Э.П.1, Казанин М.М.1, Мавлянов Х.Ю.1, Терехов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Проведены исследования ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров образцов a-Si:H, легированных бором из газовой фазы и ионной имплантацией. Показано, что этот метод может успешно применяться для определения концентрации нейтральных оборванных связей (D0) и что закономерности трансформации спектров при изменении степени легирования объясняются перезарядкой дефектов типа D0-> D+ (D+ - положительно заряженная оборванная связь). Показано различие в спектрах при различных методах введения бора.
  1. M. Stutzmann, W.B. Jackson. Sol.St.Commun., 62, 153 (1987)
  2. K. Pierz, W Fuhs., H. Mell. Phil. Mag. B, 63, 123 (1991)
  3. О.А. Голикова, А.П. Соколов, А.П. Шебанин, М.М. Мездрогина. ФТП, \bf 26, 960 (1992)
  4. L. Ley. J. Non-Cryst. Sol. 114, 238 (1989)
  5. О.А. Голикова, Э.П. Домашевская, Х.Ю. Мавлянов, В.А. Терехов, С.Н. Тростянский. ФТП, \bf 27, 1468 (1993)
  6. О.А. Голикова, У.С. Бабаходжаев, В.В. Дубро, Р.Г. Икрамов, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина, Р.Р. Яфаев. ФТП, \bf 26, 66 (1992)
  7. S. Mizukawa, K. Sato, Y. Kazumichi, M. Isawa, K. Kuroiwa, Y. Tarui. Japan. J. Appl. Phys., \bf 28, 961 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.