Проведены исследования ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров образцов a-Si:H, легированных бором из газовой фазы и ионной имплантацией. Показано, что этот метод может успешно применяться для определения концентрации нейтральных оборванных связей (D⁰) и что закономерности трансформации спектров при изменении степени легирования объясняются перезарядкой дефектов типа D⁰-> D⁺ (D⁺ - положительно заряженная оборванная связь). Показано различие в спектрах при различных методах введения бора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.