Вышедшие номера
Дефекты в аморфном кремнии, легированном бором
Голикова О.А.1, Домашевская Э.П.1, Казанин М.М.1, Мавлянов Х.Ю.1, Терехов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 января 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Проведены исследования ультрамягких рентгеновских эмиссионных спектров образцов a-Si:H, легированных бором из газовой фазы и ионной имплантацией. Показано, что этот метод может успешно применяться для определения концентрации нейтральных оборванных связей (D0) и что закономерности трансформации спектров при изменении степени легирования объясняются перезарядкой дефектов типа D0-> D+ (D+ - положительно заряженная оборванная связь). Показано различие в спектрах при различных методах введения бора.