"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект вытягивания неосновных носителей в фоторезистивных кристаллах CdxHg1-xTe с различным типом проводимости
Власенко А.И.1, Любченко А.В.1
1Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 27 декабря 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.

Исследован эффект вытягивания неосновных носителей заряда в кристаллах Cdx Hg1-x Te с x~= 0.21/0.22 n-, p- и смешанного типа проводимости. Получено простое соотношение, позволяющее проанализировать этот эффект. По экспериментальным значениям времени жизни и электрического поля, при котором наступает вытягивание, рассчитана амбиполярная подвижность, характеризующая в кристаллах n- и p-типа проводимости подвижность неосновных носителей заряда.
  1. M.R. Johnos. J. Appl. Phys., 43, 3090 (1972)
  2. В.И. Иванов-Омский, В.К. Огородников, Т.Ц. Тотиева. ФТП, \bf14, 699 (1980)
  3. Л.Н. Курбатов, А.В. Межерицкий, И.М. Овчинников, Н.В. Сороко-Новицкий, Е.С. Банин, Т.Ф. Терехович. ФТП, \bf 14, 799 (1980)
  4. А.И. Власенко, Ю.Н. Гаврилюк, А.В. Любченко, Е.А. Сальков. ФТП, \bf 13, 2180 (1979)
  5. А.И. Елизаров, Л.П. Зверев, В.В. Кружаев, Г.М. Миньков, О.Э. Рут. ФТП, \bf 17, 459 (1983)
  6. Л.А. Карачевцева, А.В. Любченко. ФТП, 26, 1342 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.