Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл--диэлектрик--полупроводник

Терехов В.А.¹, Манько А.Н.¹, Бормонтов Е.Н.¹, Левченко В.Н.¹, Требунских С.Ю.¹, Тутов Е.А.¹, Домашевская Э.П.¹

¹Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия Voronezh State University, Voronezh, Russia

Поступила в редакцию: 6 апреля 2004 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

PDF версия

Исследованы изменения в структурах Al/SiO₂/Si, возникающие в результате воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего фронта импульса 1.4· 10^-9 с и с общей длительностью импульса ~ 11.5· 10^-9 с, частотой следования импульсов 10 кГц и различной энергией в импульсе (=<sssim 2.4· 10^-4 Дж). Измерены вольт-фарадные характеристики таких структур до, во время и после воздействия сверхкороткими импульсами. В зависимости от энергии импульса обнаружены изменения во время воздействия, связанные с перестройкой неравновесной дефектной структуры границы раздела с полупроводником и поляризацией диэлектрика, а также необратимые изменения, связанные с пробоем, наблюдаемые и после выключения воздействия.

С.Н. Рукин. ПТЭ, N 4, 5 (1999)
А.С. Карауш, Р.В. Потемкин. Электрон. пром-сть, N 1, 93 (1998)
В.Г. Шпак, М.И. Яландин, С.А. Шунайлов и др. Докл. РАН, N 1, 50 (1999)
Свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник, под ред. А.В. Ржанова (М., Наука, 1976)
Б.А. Стрюков. РЭ, N 7, 887 (2000)
Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова. Письма ЖТФ, 25 (1), 42 (1999)
Д.А. Усанов, С.Б. Вениг, В.Е. Орлов. Письма ЖТФ, 25 (2), 39 (1999)
Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова и др. ФТП, 34 (5), 567 (2000)
Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова. ФТП, 32 (11), 1399 (1998)
А.А. Беляев, А.Е. Беляев, А.А. Ермолович и др. ЖТФ, 68 (12), 49 (1998)
В.В. Антипин, В.А. Годовицын, Д.В. Громов, А.С. Кожевников, А.А. Раваев. Зарубеж. электрон. техн., N 1, 37 (1995)
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Е.Н. Бормонтов. Физика и метрология МДП структур (Воронеж, ВГУ, 1997)
E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46 (5), 1055 (1967)
E.N. Bormontov, S.V. Lukin. Proc. 5^th Conf. on Simulation of Devices Technologies (Obninsk, Russia, 1996) p. 35
В.А. Терехов, Е.А. Тутов, А.Н. Манько, Э.П. Домашевская. Конд. среды и межфазн. границы, 3 (1), 86 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель