"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ловушки с энергиями вблизи середины запрещенной зоны на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в структурах кремний-на-изоляторе
Антонова И.В.1, Попов В.П.1, Поляков В.И.2, Руковишников А.И.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4 порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации Ea~ 0.2-0.3 эВ. В отсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре Ea=0.53 эВ, сечением захвата 10-19 см2 и концентрацией (0.7-1.7)· 1013 см-3. Предполагается, что данные центры захвата --- глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO2.
  1. Abstracts of Int. Symposium on Semiconductor Wafer Bonding Sience, Technology and Applications, ed. by S. Behgtsson, C.E. Hant (203 ECS Meeting, 2003)
  2. В.П. Попов, И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Л.В. Миронова. Патент Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе", N 2164719 (1999)
  3. Y. Cho, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 83, 3827 (2003)
  4. I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. Lett., 79, 4539 (2001)
  5. И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 35, 948 (2001)
  6. N.M. Johnson, D.K. Biegeslsen, M.D. Moyer, S.T. Chang. Appl. Phys. Lett., 43, 563 (1983)
  7. В.И. Поляков, П.И. Петров, О.Н. Ермакова, М.Г. Ермаков, А.И. Руковишников, В.И. Сергеев. ФТП, 23, 76 (1989).
  8. V.I. Polyakov, N.M. Rossukanyi, A.I. Rukovishnikov, S.M. Pimenov, A.V. Karabutov, V.I. Konov. J. Appl. Phys., 84, 2882 (1998); V.I. Polyakov, A.I. Rukovishnikov, N.M. Rossukanyi, B. Druz. MRS book Electrically Based Microstructural Characterization (2002) v. 699, p. 219
  9. K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
  10. D. Vuillaume, J.C. Bourgoin. Surf. Sci., 162, 680 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.