Ловушки с энергиями вблизи середины запрещенной зоны на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в структурах кремний-на-изоляторе
Антонова И.В.1, Попов В.П.1, Поляков В.И.2, Руковишников А.И.2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4 порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации Ea~ 0.2-0.3 эВ. В отсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре Ea=0.53 эВ, сечением захвата 10-19 см2 и концентрацией (0.7-1.7)· 1013 см-3. Предполагается, что данные центры захвата - глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO2.
- Abstracts of Int. Symposium on Semiconductor Wafer Bonding Sience, Technology and Applications, ed. by S. Behgtsson, C.E. Hant (203 ECS Meeting, 2003)
- В.П. Попов, И.В. Антонова, В.Ф. Стась, Л.В. Миронова. Патент Способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе", N 2164719 (1999)
- Y. Cho, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett., 83, 3827 (2003)
- I.V. Antonova, O.V. Naumova, J. Stano, D.V. Nikolaev, V.P. Popov, V.A. Skuratov. Appl. Phys. Lett., 79, 4539 (2001)
- И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 35, 948 (2001)
- N.M. Johnson, D.K. Biegeslsen, M.D. Moyer, S.T. Chang. Appl. Phys. Lett., 43, 563 (1983)
- В.И. Поляков, П.И. Петров, О.Н. Ермакова, М.Г. Ермаков, А.И. Руковишников, В.И. Сергеев. ФТП, 23, 76 (1989).
- V.I. Polyakov, N.M. Rossukanyi, A.I. Rukovishnikov, S.M. Pimenov, A.V. Karabutov, V.I. Konov. J. Appl. Phys., 84, 2882 (1998); V.I. Polyakov, A.I. Rukovishnikov, N.M. Rossukanyi, B. Druz. MRS book Electrically Based Microstructural Characterization (2002) v. 699, p. 219
- K. Hofmann, M. Schulz. J. Electrochem. Soc., 132, 2201 (1985)
- D. Vuillaume, J.C. Bourgoin. Surf. Sci., 162, 680 (1985)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
