Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO₂ и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO₂, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4 порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации E_a~ 0.2-0.3 эВ. В отсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре E_a=0.53 эВ, сечением захвата 10^-19 см² и концентрацией (0.7-1.7)· 10¹³ см^-3. Предполагается, что данные центры захвата - глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO₂.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.