Вышедшие номера
Кинетика роста поверхностного аморфного слоя при низкотемпературном облучении кремния быстрыми тяжелыми ионами
Азаров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной области Si при облучении ионами Bi с энергией 0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si-SiO2, и этот рост начинается после достижения пороговой дозы облучения. Полученные результаты хорошо описываются в рамках модели, основанной на миграции генерируемых ионами мобильных точечных дефектов к поверхности и последующих процессах их сегрегации на межфазной границе, а также наличии насыщаемых стоков в исходных образцах.