"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика роста поверхностного аморфного слоя при низкотемпературном облучении кремния быстрыми тяжелыми ионами
Азаров А.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной области Si при облучении ионами Bi с энергией 0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si--SiO2, и этот рост начинается после достижения пороговой дозы облучения. Полученные результаты хорошо описываются в рамках модели, основанной на миграции генерируемых ионами мобильных точечных дефектов к поверхности и последующих процессах их сегрегации на межфазной границе, а также наличии насыщаемых стоков в исходных образцах.
  1. J.F. Ziegler. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 6, 270 (1985)
  2. J.S. Williams, R.G. Elliman, M.C. Ridgway, C. Jagadish, S.L. Ellingboe, R. Goldberg, M. Petravic, W.C. Wong, Z. Dezhang, E. Nygren, B.G. Svensson. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 80--81, 507 (1993)
  3. A.I. Titov, S.O. Kucheyev, V.S. Belyakov, A.Yu. Azarov. J. Appl. Phys., 90, 3867 (2001)
  4. A.I. Titov, G. Carter. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 119, 491 (1996)
  5. T. Lohner, M. Fried, N.Q. Khanh, P. Petrik, H. Wormeester, M.A. El-Sherbiny. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 147, 90 (1999)
  6. J.A. van den Berg, S. Zhang, S. Whelan, D.G. Armour, R.D. Goldberg, P. Bailey, T.C.Q. Noakes. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 183, 154 (2001)
  7. K. Schmid. Rad. Eff., 17, 201 (1973)
  8. A.I. Titov, V.S. Belyakov, A.Yu. Azarov. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 212, 169 (2003)
  9. A. Hallen, B.G. Svensson. Rad. Eff. Def. Solids, 128, 179 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.