Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование разрыва зон на гетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения

Авакянц Л.П.¹, Боков П.Ю.¹, Колмакова Т.П.², Червяков А.В.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Department of Physics, Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²ОАО "Оптрон", Москва, Россия

Поступила в редакцию: 22 апреля 2004 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Из спектров фотоотражения напряженной короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAs_0.6P_0.4 определены энергии межзонных переходов с участием подзон размерного квантования. По наблюдаемому сдвигу энергии фундаментального перехода GaAs_0.6P_0.4 проведен расчет механических деформаций, обусловленных рассогласованием кристаллических решеток слоев GaAs и GaAs_0.6P_0.4. В рамках модели Кронига-Пенни проведено моделирование положения минизон сверхрешетки в зависимости от величины скачка потенциала на гетерогранице. Сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными показало, что исследованная сверхрешетка относится к контрвариантному типу со слабо локализованными электронами и легкими дырками, при этом величина скачка потенциала на гетерогранице в зоне проводимости составила Delta E_c/Delta E_g=0.15.

G.C. Osbourn. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1677 (1986)
E.P. O'Reilly. Semicond. Sci. Technol., 4, 137 (1989)
C. Mailhiot, D.L. Smith. Phys. Rev. B, 35, 1242 (1987)
F. Agahi, A. Baliga, K.M. Lau, N.G. Anderson. Appl. Phys. Lett., 68, 3778 (1996)
F. Agahi, K.M. Lau, E.S. Koteles, A. Baliga, N.G. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., QE-30, 459 (1994)
C. Weisbuch, B. Winter. Quantum Semiconductor Structures, Fundamental and Applications (Academic Press, 1991)
X. Zhang, K. Onabe, Y. Nitta, B. Zhang, S. Fukatsu, Y. Shraki, R. Ito. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1631 (1991)
N.G. Anderson, F. Agahi, A. Baliga, K.M. Lau. J. Electron. Mater., 24, 713 (1995)
О.С. Горя, А.С. Кеяну, И.В. Кравецкий, Л.Л. Кулюк, О.М. Татаринская. ЖПС, 62, 160 (1995)
D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
P.J. Hughes, B.L. Weiss, T.J.S. Hosea. Semicond. Sci. Technol., 10, 1339 (1995)
Ю. Каваляускас, Г. Кривайте, Л.В. Шаронова, А. Шилейка, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 27, 1086 (1993)
L. Malikova, F.H. Pollak, O. Gorea, A. Korotcov. J. Electron. Mater., 29, 1346 (2000)
E.L. Ivchenko, G. Pikus. Superlattices and other heterostructures. Symmetry and optical phenomena. Series Solid State Science, 110, (Springer 1995)
S.-G. Shen, X.-Q. Fan. J. Phys.: Condens. Matter., 8, 4369 (1996)
А.П. Силин. УФН, 127, 485 (1985)
H. Kawai, J. Kaneko, N.J. Watanabe. J. Appl. Phys., 58, 1263 (1985)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель