Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование разрыва зон на гетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия 
2ОАО "Оптрон", Москва, Россия
2ОАО "Оптрон", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2004 г.
Из спектров фотоотражения напряженной короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAs0.6P0.4 определены энергии межзонных переходов с участием подзон размерного квантования. По наблюдаемому сдвигу энергии фундаментального перехода GaAs0.6P0.4 проведен расчет механических деформаций, обусловленных рассогласованием кристаллических решеток слоев GaAs и GaAs0.6P0.4. В рамках модели Кронига-Пенни проведено моделирование положения минизон сверхрешетки в зависимости от величины скачка потенциала на гетерогранице. Сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными показало, что исследованная сверхрешетка относится к контрвариантному типу со слабо локализованными электронами и легкими дырками, при этом величина скачка потенциала на гетерогранице в зоне проводимости составила Delta Ec/Delta Eg=0.15.
- G.C. Osbourn. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1677 (1986)
- E.P. O'Reilly. Semicond. Sci. Technol., 4, 137 (1989)
- C. Mailhiot, D.L. Smith. Phys. Rev. B, 35, 1242 (1987)
- F. Agahi, A. Baliga, K.M. Lau, N.G. Anderson. Appl. Phys. Lett., 68, 3778 (1996)
- F. Agahi, K.M. Lau, E.S. Koteles, A. Baliga, N.G. Anderson. IEEE J. Quant. Electron., QE-30, 459 (1994)
- C. Weisbuch, B. Winter. Quantum Semiconductor Structures, Fundamental and Applications (Academic Press, 1991)
- X. Zhang, K. Onabe, Y. Nitta, B. Zhang, S. Fukatsu, Y. Shraki, R. Ito. Jap. J. Appl. Phys., 30, L1631 (1991)
- N.G. Anderson, F. Agahi, A. Baliga, K.M. Lau. J. Electron. Mater., 24, 713 (1995)
- О.С. Горя, А.С. Кеяну, И.В. Кравецкий, Л.Л. Кулюк, О.М. Татаринская. ЖПС, 62, 160 (1995)
- D.E. Aspnes. Surf. Sci., 37, 418 (1973)
- P.J. Hughes, B.L. Weiss, T.J.S. Hosea. Semicond. Sci. Technol., 10, 1339 (1995)
- Ю. Каваляускас, Г. Кривайте, Л.В. Шаронова, А. Шилейка, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 27, 1086 (1993)
- L. Malikova, F.H. Pollak, O. Gorea, A. Korotcov. J. Electron. Mater., 29, 1346 (2000)
- E.L. Ivchenko, G. Pikus. Superlattices and other heterostructures. Symmetry and optical phenomena. Series Solid State Science, 110, (Springer 1995)
- S.-G. Shen, X.-Q. Fan. J. Phys.: Condens. Matter., 8, 4369 (1996)
- А.П. Силин. УФН, 127, 485 (1985)
- H. Kawai, J. Kaneko, N.J. Watanabe. J. Appl. Phys., 58, 1263 (1985)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
