"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние gamma-облучения на характеристики границы раздела кремний--свинцово-боросиликатное стекло
Парчинский П.Б.1, Власов С.И.1, Насиров А.А.1
1Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 16 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на величину плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний--свинцово-боросиликатное стекло. Установлено, что при дозах облучения, больших чем 106 рад, наблюдается возникновение локального максимума поверхностных состояний при энергии E=Ec-(0.32±0.04) эВ. Показано, что граница раздела Si--свинцово-боросиликатное стекло характеризуется меньшей чувствительностью к воздействию gamma-облучения по сравнению с границей раздела Si--SiO2, полученной термическим окислением поверхности кремния.
  1. M. Shimbo, K. Furukava, K. Nanzava, K. Fukada. J. Electrochem. Soc., 134, 156 (1987)
  2. И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров. Технология полупроводниковых приборов (М., Высш. шк., 1984)
  3. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  4. В.С. Вавилов, Б.М. Горин, Н.С. Данилин, А.Е. Кив, Ю.А. Нуров, В.И. Шаховцев. Радиационные методы в твердотельной электронике (М., Радио и связь, 1990)
  5. П.Б. Парчинский. Письма ЖТФ, 28 (22), 17 (2002)
  6. П.Б. Парчинский, С.И. Власов, С.З. Зайнабидинов, А.А. Насиров, В.А. Абдуазимов, Б.А. Бабаджанов. Узб. физ. журн., 4, 200 (2002)
  7. С.И. Власов, П.Б. Парчинский, Б.А. Олматов. Неорг. матер., 36, 608 (2000)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  9. K.H. Zaineger, F.P. Heiman. Sol. St. Technol., 13, 49 (1970)
  10. П.Б. Парчинский, С.И. Власов, А.А. Насиров, Т.П. Адилов. Письма ЖТФ, 22 (2), 46 (1996)
  11. J.R. Brews. Sol. St. Electron., 20, 607 (1977)
  12. S.K. Lai. Appl. Phys. Lett., 39, 58 (1981)
  13. T.P. Ma, G. Scogan, R. Leone. Appl. Phys. Lett., 27, 61 (1975)
  14. T.P. Ma. Appl. Phys. Lett., 27, 615 (1975)
  15. С.Н. Козлов, А.Н. Невзоров, Т.Г. Чайковская. Микроэлектроника, 15, 283 (1986)
  16. Г.Н. Галкин, Р.У. Абасова, Е.А. Боброва, В.С. Вавилов. ФТП, 16, 2158 (1982)
  17. С.З. Зайнабидинов, С.И. Власов, Е.Г. Заугольникова, И.Н. Каримов, Г.А. Халиков. ФТП, 19, 1191 (1985)
  18. В.Я. Киблик, Р.О. Литвинов, В.Г. Литовченко, Н.М. Литовченко. Укр. физ., журн., 22, 1097 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.