"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода p-Ge--n-GaAs
Гаджиалиев М.М.1, Пирмагомедов З.Ш.1, Эфендиева Т.Н.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики, возникающие при встречных градиентах температуры, для "длинных" p-n-гетеропереходов Ge--GaAs. Наблюдался рост коэффициента выпрямления в зависимости от величины встречных тепловых потоков, который объясняется термоэлектрическим полем, образующимся на гетерогранице.
  1. Н.С. Лидоренко, И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Каломоец. ДАН СССР, 272, 855 (1983)
  2. М.М. Гаджиалиев, З.Ш. Пирмагомедов. ФТП, 37 (11), 1334 (2003)
  3. R.L. Anderson. Sol. st. Electon., 5, 341 (1962)
  4. М.М. Гаджиалиев, В.А. Елизаров. ФТП, 32, 1313 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.