"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние модификационного нанослоя висмута на перенос заряда в гетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb
Кондрат А.Б.1, Попович Н.И.1, Довгошей Н.И.1
1Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
Поступила в редакцию: 24 февраля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Исследовались вольт-амперные характеристики гетероструктур Sb-Si(n)-Ge33As12Se55-Sb и Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb. Установлено, что наличие атомов висмута в переходной области приводит к увеличению тока, протекающего через структуру. Область объемного заряда, а соответственно и величина проникновения контактного поля в p-область лежат в пределах 0.2-0.5 мкм. Введение модификационного слоя висмута также приводит к качественным изменениям вольт-амперной характеристики, что свидетельствует об изменении механизма переноса носителей заряда в структуре. Введение нанослоя Bi обусловливает переход от резкого гетероперехода к плавному. В структурах с модифицированным переходным слоем наблюдается отсутствие мягкого пробоя. Мягкий пробой наблюдается при обратном смещении, причем напряжение отсечки ~0.62 В отвечает барьеру для электронов 0.65 эВ.
  1. С.В. Свечников, В.В. Химинец, Н.И. Довгошей. Сложные некристаллические халькогениды и халькогалогениды и их применение в оптоэлектронике (Киев, Наук. думка, 1992)
  2. А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. Неупорядоченные полупроводники (М., Изд-во МЭИ, 1995)
  3. N.D. Savchenko, A.B. Kondrat, N.I. Dovgoshej, Yu.I. Bertsik. Functional Mater., 1 (3), 6, 432 (1999)
  4. Технология тонких пленок. Справочник (М., Сов. радио, 1974) т. 1
  5. N.I. Dovgoshej, O.B. Kondrat, R.M. Povch. Functional Mater., 1 (3), 6, 437 (1999)
  6. А.Б. Кондрат, Н.Д. Савченко, Н.И. Довгошей. Вопр. атомной науки и техн., 6 (7), 248 (1998)
  7. Н.И. Довгошей, А.Б. Кондрат, Н.Д. Савченко, Ю.Й. Сидор. Физика и химия твердого тела, 1 (1), 119 (2000)
  8. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем (М., Высш. шк., 1975)
  9. А.В. Симашкевич. Гетеропереходы на основе полупроводниковых соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- (Кишинев, Штиинца, 1980)
  10. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. [Пер. с англ.] (М., Мир, 1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.