"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si
Ильчук Г.А.1, Никитин С.Е.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2004 г.

Методами вакуумного термического напыления слоев фталоцианина меди CuPc на поверхность пластин n- и p-Si, а затем магнетронного осаждения слоев ZnO : Al на поверхность CuPc получены структуры n-ZnO : Al / CuPc/n(p)Si. Показано, что в спектральной области 1.65-3.3 эВ полученные структуры обнаруживают высокую фоточувствительность (~ 80 В/Вт при T=300 K). Обсуждаются выпрямление и фотовольтаический эффект полученных структур в связи со свойствами кремниевых подложек. Сделан вывод о перспективах применения контакта фталоцианина с алмазоподобными полупроводниками (на примере Si) в качестве широкополосных высокоэффективных фотопреобразователей.
  1. А.Т. Вартанян. ЖФХ, 22, 769 (1948)
  2. D.D. Elay. Nature, 162, 869 (1948)
  3. Е.К. Пуцейко. ДАН, 39, 471 (1948)
  4. J.F. Nierengarten, G. Hadziioannon, N. Armaroli. Materials Today, 4, 16 (2001)
  5. J. Wang, G. Yu, A.J. Heeger, G. Stradanov. Organic Electron., 1, 33 (2000)
  6. N. Folman, W.R. Salaneck. Surf. Sci., 500, 904 (2002)
  7. P. Penmans, S.R. Forrest. Appl. Phys. Lett., 79, 126 (2001)
  8. Г.А. Ильчук, Н.В. Климова, О.И. Коньков, С.Е. Никитин, Ю.А. Николаев, Л.И. Рудая, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков, В.В. Шаманин, Т.А. Юрре. ФТП, 38 (9) 1056 (2004)
  9. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey-Interscience, 1981)
  10. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1979)
  11. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.