Вышедшие номера
Радиационная стойкость SiC и детекторы жестких излучений на его основе О б з о р
Лебедев А.А.1, Иванов А.М.1, Строкан Н.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Анализируются полученные к настоящему времени результаты по исследованию радиационной стойкости SiC и разработке детекторов ядерных излучений на его основе. Приведены данные по энергиям ионизации, сечениям захвата и возможной структуре центров, образующихся в SiC под воздействием облучения различными типами частиц. Рассмотрено влияние облучения на концентрацию носителей заряда и рекомбинационные процессы в карбиде кремния. Описание результатов разработки и исследования параметров детекторов проведено в двух аспектах. Во-первых, отражены специфические возможности SiC-детекторов в задачах ядерной физики и техники; приведены типичные примеры использования детекторов. Во-вторых, пояснена связь характеристик детекторов со свойствами исходного материала; описан ряд методов определения конкретных параметров SiC исходя из характеристик детекторов. Сделано заключение, что прогресс последних лет в получении совершенных пленок SiC (разностная концентрация примесей (3·1014-3·1015) см-3, плотность полых каналов - micropipe-дефектов до 1 см-2) позволил SiC войти в категорию материалов, пригодных для создания современных детекторов. Технологические возможности SiC отнюдь не исчерпаны и, несомненно, уже в ближайшее время будут реализованы различные (в том числе, многоэлементные) конфигурации детекторов.