"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Легирование магнием в молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия из аммиака
Воробьев А.А.1, Кораблев В.В.1, Карпов С.Ю.2
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Софт-Импакт, а/я 83, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Модель легирования магнием верифицируется для молекулярно-пучковой эпитаксии нитрида галлия с использованием аммиака в качестве источника реактивной компоненты V группы. Хорошее количественное согласие с экспериментом позволяет на основе данной модели сравнить эффективность p-легирования для молекулярно-пучковой эпитаксии из плазмо-активированного азота и аммиака. В последнем случае удается получить большие концентрации Mg в кристалле за счет повышенного V/III отношения в падающих потоках.
  1. А.А. Воробьев, В.В. Кораблев, С.Ю. Карпов. ФТП, 37, 866 (2003)
  2. S. Guha, N.A. Bojarzuk, F. Cardone. Appl. Phys. Lett., 71, 1685 (1997)
  3. S.Yu.Karpov, R.A. Talalev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci., 450, 191 (2000)
  4. M. Kamp, M. Mayer, A. Pelzmann, K.J. Ebeling. MRS J. Nitride Semicond. Res., 2, 26 (1997)
  5. M. Mesrine, N. Grandjean, J. Massies. Appl. Phys. Lett., 72, 350 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.