Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок нанокристаллического кремния, полученных импульсным лазерным осаждением
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 11 сентября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Выполнены исследования методом электронного парамагнитного резонанса пленок кремния, сформированных методом лазерной абляции. Измерения осуществлялись в X-диапазоне с модуляцией магнитного поля на частоте ~100 кГц при температурах 300 и 77 K. Наблюдали два вида спектров. Первый вид, обнаруживающий большую концентрацию оборванных связей кремния в нанокристаллах Si и оболочках SiOx, присущ пленкам нанокристаллического кремния (nc-Si), не обладающим видимой фотолюминесценцией. Второй вид спектров, указывающий на наличие E'-центров, центров <немостиковый кислород>-дырка (NBOHC) и пероксидных радикалов, характерен для пленок с видимой фотолюминесценцией, что свидетельствует о наличии в них высокобарьерных слоев SiO2. Наблюдался эффект увеличения интенсивности фотолюминесценции и уменьшения сигнала электронного парамагнитного резонанса на пористых пленках nc-Si при длительном хранении на воздухе.
- V. Lehmann, U. Gosele. Appl. Phys. Lett., 58, 1046 (1991)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
- D.H. Lowndes, D.B. Geohegan, A.A. Puretzky, D.P. Norton, C.M. Poulean. Science, 273, 898 (1996)
- L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
- E.B. Kaganovich, A.A. Kudryavtsev, E.G. Manoilov, S.V. Svechnikov, I.Z. Indutnyi. Thin Sol. Films, 349, 298 (1999)
- Е.С. Демидов, В.В. Карзинов, Н.Е. Демидова. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, 2003) p. 48
- П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. ФТП, 30 (8), 1479 (1996)
- M. Schoisswohl, J.L. Cantin, von Bardeleben, J. Amato. Appl. Phys. Lett., 66 (26), 3660 (1995)
- V.Ya. Bratus, M.Ya. Valakh, I.P. Vorona, T.T. Petrenko, V.A. Yukhimchuk, P.L.F. Hemment, T. Komoda. J. Luminesc., 80, 269 (1999)
- B. Garrido Fernandez, M. Lopez, C. Garcia, A. Perez-Rodriguez, J.R. Morante, C. Bonafos, M. Carrada, A. Claverie. J. Appl. Phys., 91 (2), 798 (2002)
- А.В. Саченко, Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. ФТП, 35 (12), 1445 (2001)
- Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, С.В. Свечников. УФЖ, 46 (11), 1196 (2001)
- Э.Б. Каганович, Э.Г. Манойлов, И.Р. Базылюк, С.В. Свечников. ФТП, 37 (3), 353 (2003)
- Э.Б. Каганович, И.М. Кизяк, С.И. Кириллова, Э.Г. Манойлов, В.Е. Примаченко, С.В. Свечников, Е.Ф. Венгер. ФТП, 36 (9), 1105 (2002)
- M.H. Brodsky, R.S. Title. Phys. Rev. Lett., 23, 581 (1969)
- E. Holzenkampfer, F.-W. Richter, J. Stuke, U. Voget-Grote. J. Non-Cryst. Sol., 32, 327 (1979)
- W.L. Warren, E.H. Poindexter, M. Offenberg, W. Muller-Warmuth. J. Electrochem. Soc., 139, 872 (1992)
- M. Stapelbroek, D.L. Griscom, E.J. Friebele, G.H. Sigel, Jr. J. Non-Cryst. Sol., 32, 313 (1979)
- R.A. Weeks, R.H. Magruder III, P.W. Wang. J. Non-Cryst. Sol., 149, 122 (1992)
- D.L. Griscom, E.J. Frieble. Phys. Rev. B, 24 (8), 4896 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
