Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния с различной морфологией

Зимин С.П.¹, Брагин А.Н.¹

¹Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия Demidov State University, Yaroslavl, Russia

Поступила в редакцию: 22 июля 2003 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

PDF версия

Исследовано влияние упругой деформации изгиба на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор и с различными свойствами обедненных областей вокруг пор. Пористые слои были сформированы методом анодного электрохимического травления на кремниевых пластинах p- и n-типа проводимости и обладали пористостью 5-68%. Показано, что характер наблюдаемых изменений электропроводности пористого кремния при деформации зависит от структурных особенностей пористого материала. Для объяснения полученных результатов использованы различные физические модели переноса носителей заряда в пористом кремнии.

С.П. Зимин. ФТП, 34, 359 (2000)
С.П. Зимин, А.Н. Брагин. ФТП, 33, 476 (1999)
S.P. Zimin, D.S. Zimin, Yu.V. Ryabkin, A.N. Bragin. Phys. St. Sol. (a), 182, 221 (2000)
С.П. Зимин, Е.П. Комаров. Пиьсма ЖТФ, 24 (6), 45 (1998)
С.П. Зимин, А.Н. Брагин, Ю.В. Рябкин. Тез. докл. Всеросс. науч. конф. Физика полупроводников и полуметаллов" (СПб., Россия, 2002) с. 59
K. Imai, H. Unno. IEEE Trans. Electron Dev., 31, 297 (1984)
С.А. Антипов, И.А. Батаронов, А.И. Дрожжин, А.М. Рощупкин. ФТП, 27, 937 (1993)
G. Dolino, D. Bellet. In: Properties of porous silicon, ed. by L. Canham (Malvern, UK, DERA, 1997) p. 118
Л.С. Ильинская, А.Н. Подмарьков. Полупроводниковые тензодатчики (М., Энергия, 1966) с. 119
Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
H. Gleskova, S. Wagner, Z. Suo. J. Non-Cryst. Sol., 206--269, 1320 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель