Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности электрического транспорта в анизотропно наноструктурированном кремнии

Форш П.А.¹, Осминкина Л.А.¹, Тимошенко В.Ю.¹, Кашкаров П.К.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 27 октября 2003 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы закономерности электрического транспорта в слоях пористого кремния, полученного методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности (110). Обнаружено, что латеральные проводимость и фотопроводимость слоев вдоль кристаллографической оси [110] значительно выше, чем вдоль оси [001]. Для объяснения полученного результата использована модель эффективной среды, в которой учтено наличие потенциальных барьеров на границах кремниевых нанокристаллов, характеризующихся анизотропией формы. Экспоненциальная зависимость проводимости пористого кремния от корня квадратного из приложенного напряжения интерпретирована в рамках эффекта Пула-Френкеля.

М.Е. Компан, Я. Салонен, И.Ю. Шабанов. ЖЭТФ, 117, 368 (2000)
О.Г. Сарбей, Е.К. Фролова, Р.Д. Федорович, Д.Б. Данько. ФТТ, 42, 1205 (2000)
D. Kovalev, G. Polisski, J. Diener, H. Heckler, N. Kunzner, V.Yu. Timoshenko, F. Koch. Appl. Phys. Lett., 78, 916 (2001)
V.Yu. Timoshenko, L.A. Osminkina, A.I. Efimova, L.A. Golovan, P.K. Kashkarov, D. Kovalev, N. Kunzner, E. Gross, J. Diener, F. Koch. Phys. Rev. B, 67, 113 405 (2003)
Л.П. Кузнецова, А.И. Ефимова, Л.А. Осминкина, Л.А. Головань, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ФТТ, 44, 780 (2002)
N. Kunzner, D. Kovalev, J. Diener, E. Gross, V.Yu. Timoshenko, G. Polisski, F. Koch, M. Fujii. Opt. Lett., 26, 1265 (2001)
C. Popescu, T. Stoica. Phys. Rev. B, 46, 15 063 (1992)
J. Frenkel. Phys. Rev., 54, 647 (1938)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., ПИЯФ РАН, 1997)
M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch. Phys. Rev. B, 49, 2981 (1994)
V.F. Kiselev, O.V. Krylov. Electronic Phenomena in Adsorption and Cathalists on Semiconductors and Dielectrics (Springer, Berlin, 1987)
D. Stroud. Phys. Rev. B, 12, 3368 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель