"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм
Одноблюдов В.А.1, Егоров А.Ю.1, Кулагина М.М.1, Малеев Н.А.1, Шерняков Ю.М.1, Никитина Е.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27-1.3 мкм), низкопороговая (<400 А/см2), высокоэффективная (>50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.
  1. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  2. A.Yu. Egorov, D. Bernklaua, B. Borchert, S. Illek, D. Livshits, A. Rucki, M. Schuster, A. Kaschner, A. Hoffman, Gh. Dumitras, M.C. Amann, H. Riecher. J. Cryst. Growth, 227-228, 545 (2001)
  3. Н.А. Малеев, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 35 (7), 881 (2001). [Semiconductors, 35 (7), 847 (2001)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.