Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структуры с квантовыми точками CdSe в матрице ZnSe, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием субмонослоя-стрессора CdTe
Седова И.В.1, Люблинская О.Г.1, Сорокин С.В.1, Ситникова А.А.1, Торопов А.А.1, Donatini F.2, Dang Le Si2, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2CEA-CNRS-UJF group "Nanophysique et semiconducteurs", Laboratoire de Spectrometrie Physique (CNRS UMR), Universite J. Fourier--Grenoble, BP87, St Martin d'H
2CEA-CNRS-UJF group "Nanophysique et semiconducteurs", Laboratoire de Spectrometrie Physique (CNRS UMR), Universite J. Fourier--Grenoble, BP87, St Martin d'H
Поступила в редакцию: 26 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.
Представлен способ формирования квантовых точек CdSe в матрице ZnSe, основанный на введении субмонослоя соединения-стрессора CdTe (рассогласование параметров решетки Delta a/a~14% для CdTe/ZnSe), осаждаемого на поверхность матрицы непосредственно перед осаждением материала квантовых точек. Стрессор формирует на поверхности ZnSe мелкие напряженные островки, задавая локальные поля сильных упругих напряжений, управляющих процессом самоформирования квантовых точек. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии, этот способ позволяет значительно увеличить поверхностную плотность квантовых точек при некотором уменьшении их латерального размера (до 4.5±1.5 нм). В спектрах фотолюминесценции обнаружен существенный длинноволновый сдвиг пика (~150 мэВ) по сравнению с эталонной структурой с квантовыми точками CdSe/ZnSe за счет трансформации морфологии КТ и увеличения в них содержания кадмия. Детальные исследования наноструктур методами возбуждения фотолюминесценции, фотолюминесценции с временным разрешением и катодолюминесценции свидетельствуют о наличии в спектре оптических переходов типа I в квантовых точках CdSeTe/ZnSe и типа II, обусловленного в основном формированием в промежутках между квантовыми точками слоя (Zn,Cd)(Se,Te)/ZnSe с незначительным содержанием кадмия. PACS: 68.55.Ac, 78.55.Et, 78.60.Hk, 78.67.Hc
- J. Tersoff. Phys. Rev. Lett., 81, 3183 (1998)
- N. Peranio, A. Rosenauer, D. Gerthsen, S.V. Sorokin, I.V. Sedova, S.V. Ivanov. Phys. Rev. B, 61 (23), 16 015 (2000)
- K.G. Chinyama, K.P. O'Donnell, A. Rosenauer, D. Gerthsen. J. Cryst. Growth, 203 (3), 362 (1999)
- S.V. Ivanov, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, A.A. Toropov, P.S. Kop'ev, E.V. Lutsenko, A.V. Danilchyk, A.G. Voinilovich, V.Z. Zubialevich, A.L. Gurskii, G.P. Yablonskii. Phys. Status Solidi C, 3 (4), 1229 (2006)
- М.М. Зверев, Д.В. Перегудов, И.В. Седова, С.В. Сорокин, С.В. Иванов, П.С. Копьев. Квант. электрон., 34 (10), 909 (2004)
- И.В. Седова, С.В. Сорокин, А.А. Торопов, В.А. Кайгородов, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Е.В. Луценко, В.Н. Павловский, В.З. Зубелевич, А.Л. Гурский, Г.П. Яблонский, Y. Dikme, H. Kalisch, A. Szymakowski, R.H. Jansen, B. Schineller, M. Heuken. ФТП, 38 (9), 1135 (2004)
- S.V. Sorokin, I.V. Sedova, A.A. Toropov, G.P. Yablonskii, E.V. Lutsenko, A.G. Voinilovich, A.V. Danilchyk, Y. Dikme, H. Kalisch, B. Schineller, M. Heuken, S.V. Ivanov. Electron. Lett., 43 (3), (2007)
- J. Tersoff, R.M.Tromb. Phys. Rev. Lett., 70 (18), 2782 (1993)
- T.V. Shubina, S.V. Ivanov, A.A. Toropov, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, R.N. Kyutt, D.D. Solnyshkov, G.R. Pozina, B. Monemar, M. Willander, A. Waag, G. Landwehr. Phys. Status Solidi B, 229 (1), 489 (2002)
- S.V. Ivanov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.A. Toropov, R.N. Kyutt, A.A. Sitnikova, M. Willander, A. Waag, G. Landwehr. Proc. MRS Symposium (2002) v. 696. N 6.4.1
- W.M. Plotz, K. Hingerl, H. Sitter. Phys. Rev. B, 45, 12 122 (1992)
- С.В. Иванов, Т.В. Шубина, И.В. Седова, С.В. Сорокин, Р.Н. Кютт, А.А. Ситникова, Д.Д. Солнышков, О.В. Некруткина, А.А. Торопов, П.С. Копьев. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 10, 6 (2003)
- I.V. Sedova, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, O.V. Nekrutkina, A.N. Reznitsky, S.V. Ivanov. Proc. 29th Int. Symp. on Compound Semiconductors (Lausanne, Switzerland, 2002) [Inst. Phys. Conf. Ser., N 174, ed. by M. Ilegems, G. Weimann and J. Wagner (2003) sec. 3, p. 161]
- S.V. Ivanov. J. Alloys Comp., 371 (1--2), 15 (2004)
- A.A. Toropov, I.V. Sedova, O.G. Lyublinskaya, S.V. Sorokin, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, J.P. Bergman, B. Monemar, F. Donatini, Le Si Dang. Appl. Phys. Lett., 89, 123 110 (2006)
- C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
- J. Gu, I.L. Kuskovsky, van der Voort, G.F. Neumark, X. Zhou, M.C. Tamargo. Phys. Rev. B, 71, 045 340 (2005)
- N.N. Ledentsov, J. Bohrer, M. Beer, F. Heinrichsdorff, M. Grundmann, D. Bimberg, S.V. Ivanov, B.Ya. Meltser, S.V. Shaposhnikov, I.N. Yassievich, N.N. Faleev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 52, 14 058 (1995)
- A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, A.V. Lebedev, R.N. Kyutt, S.V. Ivanov, M. Karlsteen, M. Willander. Phys. Rev. B, 59, 2510 (1999)
- B. Patton, W. Langbein, U. Woggon. Phys. Rev. B, 68, 125 316 (2003)
- I.L. Kuskovsky, C. Tian, G.F. Neumark, J.E. Spaniel, I.P. Herman, W.-C. Lin, S.P. Guo, M.C. Tamargo. Phys. Rev. B, 63, 155 205 (2001)
- S.V. Ivanov, A.A. Toropov, T.V. Shubina, S.V. Sorokin, R.N. Kyutt, A.A. Sitnikova, D.D. Solnyshkov, O.V. Nekrutkina. Phys. Status Solidi B, 241 (3), 531 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
