"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические свойства и строение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово
Бордовский Г.А.1, Кастро Р.А.1, Серегин П.П.1, Теруков Е.И.2
1Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 апреля 2006 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2006 г.

Методом мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x и (As2Se3)1-z(GeSe2)z-x(SnSe2)x как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов. PACS: 76.80.+y, 78.20.Ci, 78.66.Jg, 61.43.Fs
  1. К.Д. Цэндин. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., Наука, 1996) с. 34
  2. П.П. Серегин, А.А. Андреев. В кн.: Мессбауэровская спектроскопия замороженных растворов (М., Мир, 1998) с. 294

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.