Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрическая пассивация поверхноcти кремния органическими монослоями 1-октадецена
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
Поступила в редакцию: 30 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Исследованы электрические свойства структур, состоящих из монослоя 1-октадецена, нанесенного на поверхность кремния, в зависимости от способа пассивации поверхности перед нанесением пленки (водородная и ионная пассивация) и интенсивности подсветки, активирующей реакцию присоединения молекул 1-октадецена к атомам кремния. Монослой 1-октадецена на поверхности кремния стабилен и обеспечивает химическую пассивацию поверхности. Обнаружено два липа ловушек (ловушки для дырок и для электронов), плотность которых можно варьировать при нанесении монослоя выбором интенсивности подсветки и способом пассивации поверхности. В случае низкого уровня подсветки и(или) использования йодной пассивации поверхности преобладают ловушки электронов, а в случае высокой интенсивности подсветки и(или) водородной пассивации поверхности - ловушки для дырок. Показана возможность использования данных пленок для обеспечения проводимости в тонких приповерхностных слоях кремния за счет создания режима плоских зон или аккумуляции носителей у поверхности. PACS: 72.80.Le, 73.40.Qv, 81.40.Rs, 81.65.Rv
- R.A. Wolkow. Am. Rev. Phys. Chem., 50, 413 (1999)
- J.M. Buriak. Chem. Rev., 102, 1271 (2002)
- W.R. Ashurst, C. Yau, C. Carraro, C. Lee, G.J. Kluth, R.T. Howe, R. Maboudian. Sens Actuators A, 91, 239 (2001)
- J. Zhao, K. Uosaki. J. Phys. Chem., 108, 17 129 (2004)
- W. Cai, Z. Lin, T. Strother, L.M. Smith, R.J. Hamers. J. Phys. Chem. B, 106, 2656 (2002)
- C. Miramond, D. Vuillaume. J. Appl. Phys., 96, 1529 (2004)
- E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (Wiley--Interscience Publication, 1982)
- N. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle, W. Skopura. J. Appl. Phys., 94, 4440 (2003)
- A.B. Seival, R. Linke, H. Zuilhof, E.J.R. Sudholter. Adv. Mater., 12, 1457 (2000)
- A.B. Seival, B. van den Hout, H. Zuilhof, E.J.R. Sudholter. Langmuir, 17, 2172 (2001)
- A.B. Seival, C.L. Huisman, A. Schonecker, F.M. Schourmans, B. van der Heide, A. Goossens, W.C. Sinker, H. Zuilhof, E.J.R. Sudholter. J. Phys. Chem., 107, 6846 (2003)
- Е.Г. Гук, М.Е. Левинштейн, В.А. Марихин, Л.П. Мясникова, С.Л. Румянцев. ФТП, 39, 778 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
