"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (lambda=1.0-1.8 мкм) в импульсном режиме генерации
Винокуров Д.А.1, Капитонов В.А.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Соколова З.Н.1, Станкевич А.Л.1, Хомылев М.А.1, Шамахов В.В.1, Борщёв К.С.2, Арсентьев И.Н.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Исследованы спектральные и ватт-амперные характеристики лазеров раздельного ограничения на основе твердых растворов InAlGaAs/InP и InGaAsP/InP, излучающие в диапазоне длин волн 1.5-1.8 мкм при высоких уровнях возбуждения (до 80 кА/см2) в импульсном режиме генерации (100 нс, 10 кГц). Показано, что интенсивность максимума спектра генерации с увеличением тока накачки насыщается и дальнейшее увеличение излучаемой оптической мощности достигается за счет расширения спектра генерации в коротковолновую область, аналогично лазерам на подложках GaAs с lambda=1.04 мкм. Экспериментально установлено, что расширение спектра генерации в коротковолновую область связано с увеличением порогового тока и с ростом концентрации носителей заряда в активной области. В импульсном режиме за порогом генерации концентрация носителей заряда в активной области возрастает в 6-7 раз и может достигать величины 1019 см-3. Показано, что в лазерах InAlGaAs/InP и InGaAsP/InP с ростом тока накачки наступает насыщение ватт-амперных характеристик в импульсном режиме генерации. Экспериментально установлена корреляция насыщения ватт-амперной характеристики с ростом порогового тока в активной области при увеличении тока накачки. С ростом тока накачки обнаружены рост концентрации носителей заряда и последовательное заполнение инжектированными электронами активной области и волноводных слоев, а при больших токах накачки наблюдается стимулированное излучение из волновода. PACS: 42.55.Px, 78.45.Th, 63.40.Kr
  1. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 38, 374 (2004)
  2. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  3. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.N. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40, 1413 (2004)
  4. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылёв, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налёт, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  5. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налёт, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 628 (2006)
  6. Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 764 (2006)
  7. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылёв, В.В. Шамахов, К.С. Борщёв, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 32 (16), 47 (2006)
  8. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщёв, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
  9. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (7), 55 (2003)
  10. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. ФТП, 37, 1394 (2003)
  11. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.А. Соколова, Н.В. Фетисова, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002)
  12. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, Г.В. Скрынников, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 34, 886 (2000)
  13. Е.Г. Голикова, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 28 (3), 66 (2002)
  14. Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 38, 3 (2004)
  15. B.S. Ryvkin, E.A. Avrutin. J. Appl. Phys., 97, 123103 (2005)
  16. B. Ryvkin, E. Avrutin. Electron. Lett., 42, 1283 (2006)
  17. L.V. Asryan, S. Luryi, R.A. Suris. IEEE J. Quant. Electron., 39, 404 (2003)
  18. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Г.В. Скрынников, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. ФТП, 34, 1457 (2000)
  19. Е.Г. Голикова, В.А. Горбылев, Н.Ю. Давидюк, В.А. Курешов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Ю.А. Рябоштан, В.А. Симаков, И.С. Тарасов, Н.В. Фетисова. Письма ЖТФ, 26 (6), 5 (2000)
  20. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Н. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29 (3), 65 (2003)
  21. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
  22. S. Adachi. Physical properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons, Inc., 1992)
  23. N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84, 547 (1998)
  24. Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 364 (2002)
  25. G. Fuchs, C. Schiedel, A. Hangleiter, V. Harle, F. Scholz. Appl. Phys. Lett., 62, 396 (1993)
  26. Y. Zou, J.S. Osinski, P. Grodzinski, P.D. Dapkus. Appl. Phys. Lett., 62, 175 (1993)
  27. Z.N. Sokolova, D.I. Gurylev, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17-21, 2002) p. 252
  28. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.