Исследовались p⁺-n-n⁺-структуры детекторов, изготовленных на основе CVD-пленок с содержанием нескомпенсированных доноров 2· 10¹⁴ см^-3. P⁺-область создавалась имплантацией ионов Al. Предварительно детекторы были облучены протонами с энергией 8 МэВ и дозой 3· 10¹⁴ см^-2. Отжиг проводился при температуре 600^oC в течение 1 ч. В измерениях, выполненных в интервале температур 20-150^oC, сопоставлялись режимы прямого и обратного смещений. Показано, что отжиг способствует более полному переносу носителей заряда, созданных ядерных излучением, а также снижению заряда, накопленного ловушками при тестировании. Несмотря на положительное воздействие отжига, сохраняется значительное количество радиационных дефектов, проявляющихся, в частности, в кинетике прямого тока. PACS: 85.60.Gz

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.