"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Бескадмиевые тонкопленочные гетерофотоэлементы Cu(In,Ga)Se2/(In2S3): создание и свойства
Залесский В.Б.1, Рудь В.Ю.2, Гременок В.Ф.3, Рудь Ю.В.4, Леонова Т.Р.1, Кравченко А.В.1, Зарецкая Е.П.3, Тиванов М.С.3
1Институт электроники Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.

Методом термообработки металлических слоев Cu--In--Ga в инертной атмосфере N2 в присутствии паров селена и серы выращены однородные пленки твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2, на которые были нанесены пленки CdS или In2S3 и на их основе созданы тонкопленочные фотоэлементы: стекло /Mo/ p-Cu(In,Ga)(S,Se)2/n-(In2S3,CdS)/n-ZnO/Ni-Al. Обсуждаются механизм токопереноса и процессы фоточувствительности в полученных структурах при их освещении естественным и линейно поляризованным излучением. Обнаружены широкополосная фоточувствительность тонкопленочных гетерофотоэлементов и наведенный фотоплеохроизм, свидетельствующие об интерференционном просветлении полученных структур. Сделан вывод о возможности применения экологически безопасных бескадмиевых тонкопленочных гетероструктур в качестве высокоэффективных фотопреобразователей солнечного излучения. PACS: 78.20.-e, 81.15.-z, 85.30.Hi
  1. Н.А. Горюнова. Химия алмазоподобных полупроводников (Л., ЛГУ, 1963)
  2. Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerski and S. Wagner (Amsterdam, Elsevier, 1986)
  3. K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Perkins, S. Asher, F.S. Hasoon, D. Young, M. Romero, R. Noufi, J. Ward, A. Duda. Prog. Photovolt. Res. Appl., 11, 225 (2003)
  4. A. Goetzberger, C. Hebling, H.W. Schock. MSE, R40, 1 (2003)
  5. I.M. Kotschau, M. Turcu, U. Rau, H.W. Schock. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 668, H4.5.1 (2001)
  6. V. Alberts, J. Titus, R.W. Birkmire. Thin Sol. Films, 451--452, 207 (2004)
  7. V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, V.B. Zalesski, K. Bente, W. Schmitz, R.W. Martin, H.J. Moller. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 89, 129 (2005)
  8. И.В. Боднарь, В.А. Полубок, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 41, 48 (2007)
  9. А.М. Поликанин, О.В. Гончарова, С.А. Сергиеня, В.Ф. Гременок, В.Б. Залесский. ЖПС, 71, 683 (2004)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  11. Г. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  12. E. Hernandes. Crys. Res. Technol., 33, 285 (1988)
  13. V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', H.-W. Schock. Sol. St. Phenomena, 67--68, 421 (1999)
  14. Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
  15. В.Ю. Рудь. Автореф. докт. дис. (УлГУ, 2005)
  16. Е.М. Воронкова, Б.П. Гречушников, Г.И. Дистлер, И.П. Петров. Оптические материалы для инфракрасной техники (М., Наука, 1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.