"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами1
Гальчина Н.А.1, Коган Л.М.1, Сощин Н.П.1, Широков С.С.1, Юнович А.Э.2
1Научно-производственный центр оптико-электронных приборов "ОПТЭЛ", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Изучены спектры электролюминесценции светодоидов на основе p-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN в ближней ультрафиолетовой области спектра (360--405 нм). Максимумы спектров излучения лежат вблизи 385 и 395 нм, интенсивность излучения спадает экспоненциально с энергией квантов в коротковолновой и длинноволновой областях. Исследованы излучатели в зеленой и желтой спектральной области на основе этих светодиодов, покрытых силикатными люминофорами. Спектры люминесценции люминофоров имеют гауссову форму и максимумы в диапазоне от 525 до 560 нм. Цветовые характеристики излучателей зависят от отношения интенсивностей ультрафиолетовой и желто-зеленой полос. Обсуждаются возможности создания светодиoдов видимого свечения на основе ультрафиолетовых светодиодов, возбуждающих цветные люминофоры. PACS: 78.60.Fi, 85.60.Jb
  1. S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki. Opto-electronics Rev., 10 (4), 225 (2002)
  2. T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 27 (3), 131 (2003)
  3. С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. XVIII Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2004) с. 27
  4. V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J.P. Zhang, M. Asif Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 81 (19), 3666 (2002)
  5. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (18 May 2006)
  6. C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, M.A. Khan. Jap. J. Appl. Phys., 42, L1039 (2003)
  7. С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. 5 Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 2005) с. 285
  8. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Ima da, M. Kato, T. Taguchi. Jap. J. Appl. Phys., 40, L583 (2001)
  9. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, H. Kudo, Y. Sudo, M. Kato, T. Taguchi. Proc. SPIE, 5187, 243 (2004)
  10. Light Emitting Diodes for General Illumination. Tutorial materials (OIDA), ed. by Jeff I. Tsao (2002). http://lighting.sandia.gov/
  11. А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 2 (2003)
  12. U. Kaufmann, M. Kunzer, K. Kohler, H. Obloh, W. Pletschen, P. Schlotter, R. Schmidt, J. Wagner, A. Ellens, W. Rossner, M. Kobusch. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 143 (2002)
  13. Л.Я. Марковский, О.Н. Казанкин. Неорганические люминофоры (М., Химия, 1976)
  14. Z. Wang, H. Liang, M. Gong, Q. Su. Electrochem. Solid-State Lett., 8 (4), 33 (2005)
  15. K. Yamada, M. Ohta, T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 28 (2), 73 (2004)
  16. Cheng-Huang Kuo, Jinn-Kong Sheu, Shoou-Jinn Chang, Yan-Kuin Su, Liang-Wen Wu, Ji-Ming Tsai, C.H. Liu, R.K. Wu. Jap. J. Appl. Phys., 42, 2284 (2003)
  17. М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Е.В. Коробов, Л.М. Коган, Ф.А. Лукьянов, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. ФТП, 40, 758 (2006)
  18. М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Л.М. Коган, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 36 (2006)
  19. А.Д. Азоров, Н.П. Сощин. Электронная промышленность, 1, 24 (2006)
  20. Н.П. Сощин, В.А. Большухин. Электронная промышленность, 1, 39 (2006)
  21. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 39, 1131 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.