Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
1 мая 2007 г. исполнилось 80 лет профессору Виктору Ильичу Фистулю - доктору физико-математических наук, академику Российской академии естественных наук, заслуженному деятелю науки и техники России, дважды лауреату Государственной премии СССР. Профессор В. И. Фистуль: - выдающийся физик, чьи исследования физики и химии легированных полупроводников стали фундаментом и классикой этого раздела учения о полупроводниках; - просветитель и педагог, чьи монографии и учебники по полупроводникам уже несколько десятилетий образовывают студентов и аспиратов, помогают преподавателям и студентам; - основатель мощной научной школы, многие представители которой руководят исследовательскими лабораториями и вузовскими кафедрами. Виктор Ильич Фистуль родился в Ленинграде. В 1949 году он окончил знаменитый физико-механический факультет Ленинградского политехнического института, который в то время возглавлял создатель факультета - академик А. Ф. Иоффе. До 1952 г. Виктор Ильич проработал на Свердловском заводе Уралэлектроаппарат. В 1952 г. Виктор Ильич становится москвичом и по 1964 г. работает в одном из научно-исследовательских институтов электронной промышленности, где исследует электровакуумные материалы. Результаты этих исследований он обобщает в своей кандидатской диссертации (1957 г.). С конца 50-х годов Виктор Ильич навсегда связал себя с полупроводниками, а его профессиональной жизнью стало изучение примесей в них. [!t] С 1964 г. по 1977 г. Виктор Ильич работал в Гиредмет'е, в котором прошел путь от старшего научного сотрудника до руководителя физического отдела института. Виктор Ильич со своими учениками выполнил большой цикл исследований электрических и оптических свойств сильнолегированных полупроводников. Результаты этих исследований были обобщены в его монографии "Сильнолегированные полупроводники" (1965 г.), первой в мировой научной литературе, посвященной этому разделу физики полупроводников; вскоре в США была издана ее английская версия (1967 г.). Дальнейшие исследования сильнолегированных полупроводников привели Виктора Ильича к обнаружению и объяснению политропии примесей в полупроводниках, что отражено в его монографии "Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов" (1977 г.). В этот период Виктор Ильич активно участвует в разработке технологии и промышленного производства монокристаллов арсенида галлия, что было удостоено Государственной премии СССР (1975 г.). Затем были установлены закономерности поведения примесей с незаполненными d- и f-электронными оболочками в полупроводниках AIV и AIIIBV, что обобщено в монографии "Примеси переходных металлов в полупроводниках", написанной совместно в его учеником Э. М. Омельяновским в 1983 г. Существенный вклад внес Виктор Ильич с учениками в разработку физико-химических основ изовалентного легирования полупроводников AIIIBV, которая тоже была удостоена Государственной премии СССР (1987 г.). Виктор Ильич с начала 60-х годов совмещает работу в Гиредмет'е с преподаванием в МИТХТ им. М. В. Ломоносова на кафедре "Технология полупроводниковых материалов", в создании которой он принимал активное участие. В 1977 г. Виктор Ильич становится заведующим этой кафедрой. В 1986 г. по его инициативе была создана другая кафедра - "Физика и химия твердого тела", заведующим которой он был по 1991 г. Выдающийся педагог и блестящий лектор, Виктор Ильич создал в МИТХТ научную и педагогическую школу по полупроводниковому материаловедению. Под его руководством выполнено 6 докторских и 49 кандидатских диссертаций; им опубликовано около 250 статей в отечественных и зарубежных журналах, издано 8 монографий, 4 учебника для высшей школы, 2 научно-популярные книги для старших школьников. Его двухтомный учебник "Физика и химия твердого тела" стал первым такого рода учебником, охватывающим оба аспекта науки о твердом теле. Кроме указанных званий и наград, Виктор Ильич награжден медалями им. академика Курнакова (1985 г.), академика Капицы (1995 г.), Петра I (1996 г.), Почетной грамотой Президиума ВАК России за большие заслуги по аттестации научных и научно-педагогических кадров (1995 г.), Почетной грамотой Министерства образования и науки РФ за многолетнюю плодотворную научно-педагогическую деятельность (2002 г.) и др. Со дня основания журнала "Физика и техника полупроводников" на протяжении многих лет Виктор Ильич был членом его редколлегии. Для нас, друзей Виктора Ильича, важен не только его интеллектуальный вклад в науку и высшее образование, но и обаяние его личности, блестящая эрудиция, парадоксальный ум и несгибаемая воля, которые делают его центром притяжения для всех, кто вступает во взаимодействие с ним. Пройдена большая часть жизненного пути, остались позади поиски себя и своего мести в жизни: выдающийся физик, чьи исследования физики и химии легированных полупроводников стали фундаментом и классикой этого раздела учения о полупроводниках; яркий педагог, чьи монографии и учебники по полупроводникам уже несколько десятилетий читаются студентами и аспирантами; основатель большой научной школы, многие представители которой руководят исследовательскими лабораториями и вузовскими кафедрами. Мы желаем Виктору Ильичу здоровья, оптимизма и стойкости. Друзья, коллеги и ученики Редколлегия журнала поздравляет Виктора Ильича со славным юбилеем и присоединяется к пожеланиям крепкого здоровья и жизненного оптимизма
- S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki. Opto-electronics Rev., 10 (4), 225 (2002)
- T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 27 (3), 131 (2003)
- С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. XVIII Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2004) с. 27
- V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J.P. Zhang, M. Asif Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 81 (19), 3666 (2002)
- Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (18 May 2006)
- C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, M.A. Khan. Jap. J. Appl. Phys., 42, L1039 (2003)
- С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. 5 Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 2005) с. 285
- K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Ima da, M. Kato, T. Taguchi. Jap. J. Appl. Phys., 40, L583 (2001)
- K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, H. Kudo, Y. Sudo, M. Kato, T. Taguchi. Proc. SPIE, 5187, 243 (2004)
- Light Emitting Diodes for General Illumination. Tutorial materials (OIDA), ed. by Jeff I. Tsao (2002). http://lighting.sandia.gov/
- А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 2 (2003)
- U. Kaufmann, M. Kunzer, K. Kohler, H. Obloh, W. Pletschen, P. Schlotter, R. Schmidt, J. Wagner, A. Ellens, W. Rossner, M. Kobusch. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 143 (2002)
- Л.Я. Марковский, О.Н. Казанкин. Неорганические люминофоры (М., Химия, 1976)
- Z. Wang, H. Liang, M. Gong, Q. Su. Electrochem. Solid-State Lett., 8 (4), 33 (2005)
- K. Yamada, M. Ohta, T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 28 (2), 73 (2004)
- Cheng-Huang Kuo, Jinn-Kong Sheu, Shoou-Jinn Chang, Yan-Kuin Su, Liang-Wen Wu, Ji-Ming Tsai, C.H. Liu, R.K. Wu. Jap. J. Appl. Phys., 42, 2284 (2003)
- М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Е.В. Коробов, Л.М. Коган, Ф.А. Лукьянов, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. ФТП, 40, 758 (2006)
- М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Л.М. Коган, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 36 (2006)
- А.Д. Азоров, Н.П. Сощин. Электронная промышленность, 1, 24 (2006)
- Н.П. Сощин, В.А. Большухин. Электронная промышленность, 1, 39 (2006)
- С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 39, 1131 (2003)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.