"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Виктор Ильич Фистуль ( к 80-летию со дня рождения)
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.
1 мая 2007 г. исполнилось 80 лет профессору Виктору Ильичу Фистулю --- доктору физико-математических наук, академику Российской академии естественных наук, заслуженному деятелю науки и техники России, дважды лауреату Государственной премии СССР. Профессор В. И. Фистуль: --- выдающийся физик, чьи исследования физики и химии легированных полупроводников стали фундаментом и классикой этого раздела учения о полупроводниках; --- просветитель и педагог, чьи монографии и учебники по полупроводникам уже несколько десятилетий образовывают студентов и аспиратов, помогают преподавателям и студентам; --- основатель мощной научной школы, многие представители которой руководят исследовательскими лабораториями и вузовскими кафедрами. Виктор Ильич Фистуль родился в Ленинграде. В 1949 году он окончил знаменитый физико-механический факультет Ленинградского политехнического института, который в то время возглавлял создатель факультета --- академик А. Ф. Иоффе. До 1952 г. Виктор Ильич проработал на Свердловском заводе Уралэлектроаппарат. В 1952 г. Виктор Ильич становится москвичом и по 1964 г. работает в одном из научно-исследовательских институтов электронной промышленности, где исследует электровакуумные материалы. Результаты этих исследований он обобщает в своей кандидатской диссертации (1957 г.). С конца 50-х годов Виктор Ильич навсегда связал себя с полупроводниками, а его профессиональной жизнью стало изучение примесей в них. [!t] С 1964 г. по 1977 г. Виктор Ильич работал в Гиредмет'е, в котором прошел путь от старшего научного сотрудника до руководителя физического отдела института. Виктор Ильич со своими учениками выполнил большой цикл исследований электрических и оптических свойств сильнолегированных полупроводников. Результаты этих исследований были обобщены в его монографии "Сильнолегированные полупроводники" (1965 г.), первой в мировой научной литературе, посвященной этому разделу физики полупроводников; вскоре в США была издана ее английская версия (1967 г.). Дальнейшие исследования сильнолегированных полупроводников привели Виктора Ильича к обнаружению и объяснению политропии примесей в полупроводниках, что отражено в его монографии "Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов" (1977 г.). В этот период Виктор Ильич активно участвует в разработке технологии и промышленного производства монокристаллов арсенида галлия, что было удостоено Государственной премии СССР (1975 г.). Затем были установлены закономерности поведения примесей с незаполненными d- и f-электронными оболочками в полупроводниках AIV и AIIIBV, что обобщено в монографии "Примеси переходных металлов в полупроводниках", написанной совместно в его учеником Э. М. Омельяновским в 1983 г. Существенный вклад внес Виктор Ильич с учениками в разработку физико-химических основ изовалентного легирования полупроводников AIIIBV, которая тоже была удостоена Государственной премии СССР (1987 г.). Виктор Ильич с начала 60-х годов совмещает работу в Гиредмет'е с преподаванием в МИТХТ им. М. В. Ломоносова на кафедре "Технология полупроводниковых материалов", в создании которой он принимал активное участие. В 1977 г. Виктор Ильич становится заведующим этой кафедрой. В 1986 г. по его инициативе была создана другая кафедра --- "Физика и химия твердого тела", заведующим которой он был по 1991 г. Выдающийся педагог и блестящий лектор, Виктор Ильич создал в МИТХТ научную и педагогическую школу по полупроводниковому материаловедению. Под его руководством выполнено 6 докторских и 49 кандидатских диссертаций; им опубликовано около 250 статей в отечественных и зарубежных журналах, издано 8 монографий, 4 учебника для высшей школы, 2 научно-популярные книги для старших школьников. Его двухтомный учебник "Физика и химия твердого тела" стал первым такого рода учебником, охватывающим оба аспекта науки о твердом теле. Кроме указанных званий и наград, Виктор Ильич награжден медалями им. академика Курнакова (1985 г.), академика Капицы (1995 г.), Петра I (1996 г.), Почетной грамотой Президиума ВАК России за большие заслуги по аттестации научных и научно-педагогических кадров (1995 г.), Почетной грамотой Министерства образования и науки РФ за многолетнюю плодотворную научно-педагогическую деятельность (2002 г.) и др. Со дня основания журнала "Физика и техника полупроводников" на протяжении многих лет Виктор Ильич был членом его редколлегии. Для нас, друзей Виктора Ильича, важен не только его интеллектуальный вклад в науку и высшее образование, но и обаяние его личности, блестящая эрудиция, парадоксальный ум и несгибаемая воля, которые делают его центром притяжения для всех, кто вступает во взаимодействие с ним. Пройдена большая часть жизненного пути, остались позади поиски себя и своего мести в жизни: выдающийся физик, чьи исследования физики и химии легированных полупроводников стали фундаментом и классикой этого раздела учения о полупроводниках; яркий педагог, чьи монографии и учебники по полупроводникам уже несколько десятилетий читаются студентами и аспирантами; основатель большой научной школы, многие представители которой руководят исследовательскими лабораториями и вузовскими кафедрами. Мы желаем Виктору Ильичу здоровья, оптимизма и стойкости. Друзья, коллеги и ученики Редколлегия журнала поздравляет Виктора Ильича со славным юбилеем и присоединяется к пожеланиям крепкого здоровья и жизненного оптимизма
  1. S. Kamiyama, M. Iwaya, H. Amano, I. Akasaki. Opto-electronics Rev., 10 (4), 225 (2002)
  2. T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 27 (3), 131 (2003)
  3. С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. XVIII Межд. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения (Москва, 2004) с. 27
  4. V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J.P. Zhang, M. Asif Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M.S. Shur, R. Gaska. Appl. Phys. Lett., 81 (19), 3666 (2002)
  5. Y. Taniyasu, M. Kasu, T. Makimoto. Nature, 441, 325 (18 May 2006)
  6. C. Chen, V. Adivarahan, J. Yang, M. Shatalov, E. Kuokstis, M.A. Khan. Jap. J. Appl. Phys., 42, L1039 (2003)
  7. С.С. Широков, А.Э. Юнович. Тез. докл. 5 Росс. конф. по физике полупроводников (Звенигород, 2005) с. 285
  8. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Ima da, M. Kato, T. Taguchi. Jap. J. Appl. Phys., 40, L583 (2001)
  9. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, H. Kudo, Y. Sudo, M. Kato, T. Taguchi. Proc. SPIE, 5187, 243 (2004)
  10. Light Emitting Diodes for General Illumination. Tutorial materials (OIDA), ed. by Jeff I. Tsao (2002). http://lighting.sandia.gov/
  11. А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 2 (2003)
  12. U. Kaufmann, M. Kunzer, K. Kohler, H. Obloh, W. Pletschen, P. Schlotter, R. Schmidt, J. Wagner, A. Ellens, W. Rossner, M. Kobusch. Phys. Status Solidi A, 188 (1), 143 (2002)
  13. Л.Я. Марковский, О.Н. Казанкин. Неорганические люминофоры (М., Химия, 1976)
  14. Z. Wang, H. Liang, M. Gong, Q. Su. Electrochem. Solid-State Lett., 8 (4), 33 (2005)
  15. K. Yamada, M. Ohta, T. Taguchi. J. Light \& Visual Environment, 28 (2), 73 (2004)
  16. Cheng-Huang Kuo, Jinn-Kong Sheu, Shoou-Jinn Chang, Yan-Kuin Su, Liang-Wen Wu, Ji-Ming Tsai, C.H. Liu, R.K. Wu. Jap. J. Appl. Phys., 42, 2284 (2003)
  17. М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Е.В. Коробов, Л.М. Коган, Ф.А. Лукьянов, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. ФТП, 40, 758 (2006)
  18. М.Л. Бадгутдинов, Н.А. Гальчина, Л.М. Коган, И.Т. Рассохин, Н.П. Сощин, А.Э. Юнович. Светотехника, 3, 36 (2006)
  19. А.Д. Азоров, Н.П. Сощин. Электронная промышленность, 1, 24 (2006)
  20. Н.П. Сощин, В.А. Большухин. Электронная промышленность, 1, 39 (2006)
  21. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 39, 1131 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.