"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Реконструкция зависимостей туннельного тока от напряжения на окисле по динамическим вольт-амперным характеристикам гетероструктур n+-Si-SiO2-n-Si
Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Нарышкина В.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 30 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Прецизионные измерения динамических вольт-амперных характеристик структуры Al-n+-Si-SiO2-n-Si с тонким (<50 Angstrem) окислом позволяют выделить из полного тока его активную (Ia) и емкостную (Ic) составляющие. Развит алгоритм анализа последней, обеспечивающий определение в едином эксперименте уровня легирования n-Si, "емкости окисла" Ci, а также плотности и знака фиксированного в нем заряда. На основании этих данных без привлечения каких-либо подгоночных параметров в поперечных полях |F|=<q 10 МВ/см рассчитаны зависимости поверхностного потенциала n-Si и падения напряжения на окисле Vi от потенциала затвора Vg. При максимальных |F| слоевая плотность электронов (дырок) в n-Si превышает 1013 см-2, свидетельствуя о вырождении и размерном квантовании электронного газа. По зависимостям It(Vg) и Vi(Vg) реконструированы вольт-амперные характеристики туннельного тока It(Vi)= Ia(Vi), представленные более чем на 10 порядках величины его изменения, как в режиме обогащения поверхности n-Si, так и в режиме инверсии. Наблюдавшиеся характеристики It(Vi) количественно не описываются в рамках существующих представлений о туннельном эффекте. PACS: 73.40.Gk, 73.40.Qv, 85.30.Mn
  1. Г.Я. Красников. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов (М., Техносфера, 2002) ч. 1
  2. Khairurrijal, W. Mizubayashi, S. Miyazaki, M. Hirose. Appl. Phys. Lett., 77 (22), 3580 (2000)
  3. E.P. Nakhmedov, C. Radehaus, K. Wieczorek. J. Appl. Phys., 97, 064 107 (2005)
  4. A. Aziz, K. Kassmi, R. Maimouni, F. Olivie' et al. Eur. Phys. J. Appl. Phys., 31, 169 (2005)
  5. М.И. Векслер, И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин. ФТП, 39, 1430 (2005)
  6. G. Bersuker, P. Zeitzoff, G. Brown, H.R. Huff. Materials Today, 7 (1), 26 (2004)
  7. O. Blank, H. Reisinger, R. Stengl, M. Gutsche, F. Wiest, V. Capodieci, J. Schulze, I. Eisele. J. Appl. Phys., 97, 044 107 (2005)
  8. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  9. E.N. Nicollian, I.R. Brews. MOS, Physics and Technology (N. Y., John Willey @ Sons, 1982)
  10. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 2, 120 (2002)
  11. А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Г.В. Чучева. ФТП, 37, 686 (2003)
  12. И.Б. Гуляев, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская, Р.Д. Тихонов, Г.В. Чучева. Микроэлектроника, 33 (4), 227 (2004)
  13. C.G.B. Garrett, W.H. Brattain. Phys. Rev., 99 (2), 376 (1955)
  14. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
  15. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ПТЭ, N 6, 110 (1997)
  16. А.Г. Ждан, Е.И. Гольдман, Ю.В. Гуляев, Г.В. Чучева. ФТП, 39, 697 (2005)
  17. А.Г. Ждан, Г.В. Чучева, Е.И. Гольдман. ФТП, 40, 195 (2006)
  18. Е.И. Гольдман, В.А. Иванов. Препринт ИРЭ РАН N 22 [551] (М., 1990)
  19. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  20. M. Fukuda, W. Mizubayashi, A. Kohno, S. Miyazaki, M. Hirose. Jap. J. Appl. Phys., 37, pt 2 (12 B), 1534 (1998)
  21. E. Cassan, P. Dollfus, S. Galdin. J. Non-Cryst. Sol., 280, 63 (2001)
  22. E.I. Goldman, N.F. Kukharskaya, A.G. Zhdan. Sol. St. Electron., 48, 831 (2004)
  23. K.J. Yang, C. Hu. IEEE Trans. Electron. Dev., 46 (7), 1500 (1999)
  24. O. Simonetti, T. Maurel, M. Jourdain. J. Non-Cryst. Sol., 280, 110 (2001)
  25. F. Pellizzer, G. Pavia. J. Non-Cryst. Sol., 280, 235 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.