"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель самокомпенсации и стабилизация уровня Ферми в облученных полупроводниках
Брудный В.Н.1, Колин Н.Г.2, Смирнов Л.С.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2Обнинский филиал ФГУП "НИФХИ им. Л.Я. Карпова", Обнинск, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 сентября 2006 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

Развита модель для численного анализа электрофизических свойств и оценки стационарного (предельного) положения уровня Ферми (Flim) в тетраэдрических полупроводниках, облученных частицами высоких энергий. Показано, что облученный полупроводник является сильно компенсированным материалом, в котором значение Flim тождественно < EG>/2 (здесь < EG> --- средний энергетический интервал между зоной проводимости и валентной зоной в пределах всей зоны Бриллюэна кристалла). Приведены экспериментальные величины Flim, расчетные значения < EG>/2 и данные по электрофизическим свойствам облученных полупроводников. Проанализированы химические тенденции в изменении величины Flim в группах полупроводников с родственным типом химической связи. PACS: 61.80.Az, 61.82.Fk, 72.20.Dp, 72.20.My, 72.60.+g
  1. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980)
  2. В.В. Козловский. Модифицирование полупроводников пучками протонов (СПб., Наука, 2003)
  3. V.N. Brudnyi, V.M. Diamond. Sol. St. Commun., 54 (4), 355 (1985)
  4. В.Л. Винецкий, Л.С. Смирнов. ФТП, 5 (1), 176 (1971)
  5. В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 84 (1986)
  6. Физические процессы в облученных полупроводниках, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1977)
  7. В.Л. Винецкий, Г.А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников (Киев, Наук. думка, 1979)
  8. Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1968)
  9. В.Н. Брудный, В.Г. Воеводин, О.В. Воеводина, С.Н. Гриняев, И.В. Ивонин, Л.Г. Лаврентьева, Г.Ф. Караваев. Изв. вузов. Физика, 41 (8), 26 (1998)
  10. В.Н. Брудный. Вестн. Томского гос. ун-та, 285, 95 (2005)
  11. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, V.E. Stepanov. Physica B, 212, 429 (1995)
  12. V.N. Brudnyi, S.N. Grinyaev, N.G. Kolin. Physica B, 348, 213 (2004)
  13. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. Изв. вузов. Физика, 49 (8) (2006, в печати)
  14. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, A.V. Govorkov, S.Y. Pearton, J.M. Zawada. J. Appl. Phys., 94 (5), 3069 (2003)
  15. W. Walukiewicz, R.E. Jones, S.X. Li, K.M. Yu, J.W. Auger III, E.E. Halber, H. Lu, W.J. Schaff. J. Cryst. Growth, 288 (2), 278 (2006)
  16. I. Mahboob, T.D. Veal, L.E.J. Piper, C.F. McConville, Hai Lu, W.J. Shaff, J. Furthmuller, F. Bechstedt. Phys. Rev. B, 69, 201 307(R) (2004)
  17. A. Chantre, G. Wincent, D. Bois. Phys. Rev. B, 23 (10), 5335 (1981)
  18. R.H. Wallis, A. Zylbersztejn, J.M. Besson. Appl. Phys. Lett., 38, 698 (1981)
  19. В.Н. Брудный. ФТП, 33 (11), 1290 (1999)
  20. J.J. Rehn, W. Kohn. Phys. Rev. B, 10, 448 (1974)
  21. В.Н. Брудный. Автореф. докт. дис. ТГУ (Томск, 1993)
  22. D.J. Chadi, M.L. Cohen. Phys. Rev. B, 8, 5747 (1973)
  23. Р.А. Эварестов. Квантово-химические методы в теории твердого тела (Л., Изд-во ЛГУ, 1982)
  24. D. Pons, J. Bourgoin. J. Phys. C, 18, 3839 (1985)
  25. В.Н. Брудный, С.Н. Гриняев, Н.Г. Колин. ФТП, 39 (4), 409 (2005)
  26. Н.Г. Колин, В.Б. Освенский, Н.С. Рытова, У.С. Юрова. ФТП, 21 (3), 521 (1987)
  27. E. Tokumitsu. Jap. J. Appl. Phys., 29, L698 (1990)
  28. Н.В. Агринская, Т.В. Машовец. ФТП, 28 (9), 1505 (1994)
  29. S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. Lett., 84 (6), 1232 (2000)
  30. C.G. Van de Walle, J. Neugebauer. Nature, 423, 626 (2003)
  31. W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 54, 2094 (1989)
  32. V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. Phys. Status Solidi A, 128 (1), 311 (1991)
  33. F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20 (2), 145 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.