Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Особенности кинетики молекулярно-пучковой эпитаксии соединений в системе GaN--AlN

Алексеев А.Н.¹, Бырназ А.Э.¹, Красовицкий Д.М.¹, Павленко М.В.¹, Петров С.И.¹, Погорельский Ю.В.¹, Соколов И.А.¹, Соколов М.А.¹, Степанов М.В.¹, Шкурко А.П.¹, Чалый В.П.¹

¹Акционерное общество "Светлана-Рост", Санкт-Петербург, Россия JSC Svetlana-Rost, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 28 декабря 2006 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Обсуждается влияние условий роста (отношение V/III, температура подложки) на свойства материалов в системе AlN-GaN. Предложена и реализована концепция выращивания многослойной гетероструктуры AlN/AlGaN/GaN, позволяющая улучшить кристаллическое совершенство и морфологию поверхности слоев. Улучшение свойств GaN в многослойной гетероструктуре AlN/AlGaN/GaN/AlGaN подтверждается значительным увеличением подвижности электронов в двумерном электронном газе, образованном на верхней гетерогранице GaN/Al_0.3Ga_0.7N. PACS: 71.55.Eq, 74.78.Fk, 81.15.-z, 81.16.-c

O. Ambacher. J. Phys. D: Appl. Phys., 31, 2653 (1998)
M.S. Shur. Sol. St. Electron., 42 (12), 2131 (1998)
P. Waltereit, H. Sato, C. Poblenz, D.S. Green, J.S. Brown, M. McLaurin, T. Katona, S.P. DenBaars, J.S. Speck, J.-H. Liang, M. Kato, H. Tamura, S. Omori, C. Funaoka. Appl. Phys. Lett., 84, 2748 (2004)
S.E. Hooper, M. Kauer, V. Bousquet. Electron. Lett., 40 (1), 33 (2004)
Y.K. Su, S.J. Chang, T.M. Kuan, C.H. Ko, J.B. Webb, W.H. Lan, Y.T. Cherng, S.C. Chen. Mater. Sci. Engin. B, 110, 172 (2004)
J.B. Webb, H. Tang, J.A. Bardwell, Y. Liu, J. Lapointe, T. MacElwee. Phys. Status Solidi A, 194 (2), 439 (2002)
N. Grandjean, J. Massies, F. Semond, S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev. Appl. Phys. Lett., 74, 1854 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель