Вышедшие номера
Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры
Мурыгин В.И.1, Фаттахдинов А.У.1, Локтев Д.А.1, Гундырев В.Б.1
1Московский государственный институт электронной техники (Технический университет), Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 14 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Рассчитана емкость барьера Шоттки и p+-n-перехода, в n-области которых имеются мелкие доноры и глубокие акцепторы с уровнями в верхней половине запрещенной зоны. Емкость представлялась в виде двух последовательно расположенных емкостей - приконтактной области, содержащей только ионы донорной примеси, и переходного слоя на границе объемного заряда с базой диода с учетом концентрации свободных носителей заряда и ее зависимости от потенциала. Оказалось, что емкость переходного слоя в сильной степени зависит от температуры и может увеличиваться с ростом напряжения смещения. Расчетные вольт-фарадные характеристики барьерной емкости подтверждаются результатами экспериментальных работ, даже описывают немонотонные зависимости емкости от напряжения смещения. PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Lq
  1. А.И. Емельянов, Н.А. Соболев, А.Н. Якименко. ФТП, 35 (3), 330 (2001)
  2. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урабев. ФТП, 16 (6), 1874 (1982)
  3. Л.П. Вяткин, А.В. Дубинин, Н.К. Максимова, Н.Г. Филонов. ФТП, 15 (3), 484 (1982)
  4. В.И. Мурыгин. ФТП, 34 (6), 702 (2004)
  5. Л.С. Берман, В.Г. Данильченко, В.И. Корольков, Ф.Ю. Солдатенков. ФТП, 34, 558 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.