"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP-гетероструктур
Лютецкий А.В.1, Борщев К.С.2, Бондарев А.Д.1, Налет Т.А.1, Пихтин Н.А.1, Слипченко С.О.1, Фетисова Н.В.1, Хомылев М.А.1, Мармалюк А.А.3, Рябоштан Ю.Л.3, Симаков В.А.3, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 октября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

В системе твердых растворов AlInGaAs/InP применена концепция мощных полупроводниковых лазеров на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения. Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений изготовлены лазерные гетероструктуры, излучающие на длине волны 1.75-1.8 мкм. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с максимальной мощностью излучения при комнатной температуре в непрерывном режиме 2.0 и 20 Вт в импульсном режиме генерации. Внутренние оптические потери в лазерах были снижены до 2.2 см-1. PACS: 42.55.Px, 78.67.Pt, 78.60.Fi, 85.60.Jb
  1. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  2. Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, В.А. Капитонов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, Н.А. Рудова, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 764 (2006)
  3. С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, А.А. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 26 (2003)
  4. А.Ю. Андреев, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, А.А. Мармалюк, Т.А. Налет, А.А. Падалица, Н.А. Пихтин, Д.Р. Сабитов, В.А. Симаков, С.О. Слипченко, М.А. Хомылев, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 628 (2006)
  5. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  6. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова. ФТП, 16, 1670 (1982)
  7. N.A. Gun'ko, V.B. Khalfin, Z.N. Sokolova, G.G. Zegrya. J. Appl. Phys., 84, 547 (1998)
  8. S. Adachi. Physical properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
  9. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  10. H.K. Choi, G.W. Turner, S.I. Eglash. IEEE Phot. Techn. Lett., 6, 7 (1994)
  11. D.Z. Garbuzov, H. Lee, V. Khalfin, R. Martinelli, J.C. Connolly, G.L. Belenky. IEEE Phot. Techn. Lett., 11, 794 (1999)
  12. J. Dong, A. Ubukata, K. Matsumoto. Jap. J. Appl. Phys., 36, 5468 (1997)
  13. R.U. Martinelli, T.J. Zamerowski, P.A. Longeway. Appl. Phys. Lett., 54, 277 (1989)
  14. R.U. Martinelli, R.U. Menna, A. Triano, M.G. Harvey, G.H. Olsen. Electron. Lett., 30, 324 (1994)
  15. С.О. Слипченко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, Ю.А. Рябоштан, Е.Г. Голикова, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 65 (2003)
  16. А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, А.Ю. Лешко, В.В. Шамахов, А.Ю. Андреев, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 37, 1394 (2003)
  17. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  18. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.