"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О влиянии условий осаждения на морфологию нитевидных нанокристаллов
Дубровский В.Г.1,2, Сошников И.П.1,2, Сибирев Н.В.3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Устинов В.М.1,2, Tchernycheva M.4, Harmand J.C.4
1Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
Поступила в редакцию: 7 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Представлены результаты теоретического исследования влияния условий осаждения на морфологические свойства нитевидных нанокристаллов в различных ростовых технологиях. Получены зависимости длины кристаллов от их радиуса, температуры, скорости осаждения, плотности и среднего размера капель - катализаторов роста. Определены значения эффективной диффузионной длины адатома на поверхности подложки в различных режимах роста. Теоретические зависимости длины нитевидных нанокристаллов от радиуса и ростовой температуры поверхности подтверждены экспериментальными данными, полученными для кристаллов GaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности GaAs(111)B, активированной Au. PACS: 61.46.Hk, 68.65.La, 68.37.-d, 81.07.Vb
  1. G. Zheng, W. Lu, S. Jin, C.M. Lieber. Adv. Mater., 16, 1890 (2004)
  2. T. Bryllert, L.-E. Wernersson, L.E. Froberg, L. Samuelson. IEEE Lett., 27, 323 (2006)
  3. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi. J. Appl. Phys., 77, 447 (1995)
  4. M.T. Bjork, B.J. Ohlsson, T. Sass, A.I. Persson, C. Thelander, M.H. Magnusson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 80, 1058 (2002)
  5. E. Patolsky, G. Zheng, O. Hayden, M. Lakadamyali, X. Zhuang, C.M. Lieber. Proc. Nat. Acad. Sci. USA, 101, 14017 (2004)
  6. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  7. E.I. Givargizov. J. Cryst. Growth, 31, 20 (1975)
  8. A.M. Morales, C.M. Lieber. Science, 278, 208 (1998)
  9. F.M. Ross, J. Tersoff, M.C. Reuter. Phys. Rev. Lett., 95, 146 104 (2005)
  10. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, G. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Gosele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett., 84, 4968 (2004)
  11. X. Duan, C.M. Lieber. Adv. Mater., 12, 298 (2000)
  12. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, A.I. Persson, C. Thelander, L.R. Wallenberg, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson. Physica E, 13, 1126 (2002)
  13. W. Seifert, M. Borgstrom, K. Deppert, K.A. Dick, J. Johansson, M.W. Larsson, T. Martensson, N. Skold, C.P. Svensson, B.A. Wacaser, L.R. Wallenberg, L. Samuelson. J. Cryst. Growth, 272, 211 (2004)
  14. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  15. J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
  16. M.C. Plante, R.R. LaPierre. J. Cryst. Growth, 286 (2), 394 (2006)
  17. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. J. Cryst. Growth, 289, 31 (2006)
  18. A.A. Tonkikh, G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, N.K. Polyakov, V.M. Ustinov. Phys. Status Solidi A, 203, 1365 (2006)
  19. И.П. Сошников. Письма в ЖТФ, 31 (15), 29 (2005)
  20. Е.И. Гиваргизов, А.А. Чернов. Кристаллография, 18, 147 (1973)
  21. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E, 70, 031 604 (2004)
  22. А.А. Чернов, Н.С. Папков. Кристаллография, 22, 35 (1977)
  23. D. Kashchiev. Cryst. Growth and Design, 6, 1154 (2006)
  24. D. Kashchiev. Nucleation: Basic Theory with Applications (Oxford, Butterworth Heinemann, 2000)
  25. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, J.C. Harmand, V.M. Ustinov. Phys. Rev. E, 73, 021 603 (2006)
  26. W. Dittmar, K. Neumann. In: Growth and perfection of crystals, eds R.H. Doremus, B.W. Roberts, D. Turnball (N.Y. John, Wiley, 1958) p. 121
  27. V. Ruth, J.R. Hirth. J. Chem. Phys., 41, 31 (1964)
  28. J.M. Blakely, K.A. Jackson. J. Chem. Phys., 37, 428 (1962).
  29. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Р.А. Сурис, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов, M. Tchernycheva, J.C. Harmand. ФТП, 40 (9), 1103 (2006)
  30. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев. Письма ЖТФ, 32 (5), 1 (2006)
  31. В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 40 (3), 257 (2006)
  32. T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, T. Watanabe. J. Appl. Phys., 81, 7273 (1997)
  33. S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchiya, H. Noge, H. Kano, Y. Nagamune, T. Noda, H. Sakaki. J. Appl. Phys., 76, 4138 (1994)
  34. Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39 (5), 587 (2006)
  35. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  36. V.G. Dubrovskii. J. Phys.: Condens. Matter, 16, 6929 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.