"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода
Абрамов И.И.1, Гончаренко И.А.1, Коломейцева Н.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 24 августа 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2007 г.

Предложена комбинированная двухзонная модель резонансно-туннельного диода, основанная на полуклассическом и квантово-механическом (формализм волновых функций) подходах. Ее главная особенность --- возможность учета взаимодействия различных классических и квантово-механических областей прибора при одновременном учете Gamma-X-междолинного рассеяния. Показано, что с помощью модели можно получить удовлетворительное согласование с экспериментальными данными по вольт-амперным характеристикам и объяснить область "плато" на этих характеристиках в рамках стационарной модели. PACS: 73.40.Gk, 68.65.Cd
  1. N.J. Pulsford, R.J. Nicholas, P. Dawson, K.J. Moore, G. Duggan, C.T.B. Foxon. Phys. Rev. Lett., 63 (20), 2284 (1989)
  2. H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51 (13), 1019 (1987)
  3. J.P. Sun, R.K. Mains, K. Yang, G.I. Haddad. J. Appl. Phys., 74 (8), 5053 (1993)
  4. Y.-C. Chang. Phys. Rev. B, 37 (14), 8215 (1988)
  5. S. Biondini, G. Borgioli. Proc. WASCOM2003 12 th Conf. on Waves and Stability in Continuous Media (World Scientific, Singapore, 2004) p. 78
  6. R. Yang, M. Sweeny, D. Day, J. Xu. IEEE Trans. Electron. Dev., 38 (3), 442 (1991)
  7. O. Morandi, M. Modugno. Phys. Rev. B, 71 (23), 235 331 (2005)
  8. D. Ting, E. Yu, T. McGill. Phys. Rev. B, 45 (7), 3583 (1992)
  9. Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков. Изв. вузов. Физика, 10, 3 (2000)
  10. С.Н. Гриняев, Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышев. ФТП, 28 (8), 1393 (1994)
  11. Г.Ф. Караваев, С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышев. Изв. вузов. Физика, 9, 64 (1992)
  12. Г.Ф. Караваев, А.А. Воронков. Изв. вузов. Физика, 1, 78 (2003)
  13. L. Demeio, L. Barletti, A. Bertoni, P. Bordone, C. Jacoboni. Physica B, 314, 104 (2002)
  14. R. Lake, G. Klimeck, R.C. Bowen, D. Jovanovich. J. Appl. Phys., 81 (12), 7845 (1997)
  15. R.C. Bowen, G. Klimeck, R.K. Lake, W.R. Frensley, T. Moise. J. Appl. Phys., 81 (7), 3207 (1997)
  16. T.B. Boykin, R.C. Bowen, G. Klimeck, K.L. Lear. Appl. Phys. Lett., 75 (9), 1302 (1999)
  17. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко. Электромагнит. волны и электрон. системы, 7 (3), 54 (2002)
  18. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. ФТП, 39 (9), 1138 (2005)
  19. J.P. Sun, R.K. Mains, K. Yang, G.I. Haddad. J. Appl. Phys., 74 (8), 5053 (1993)
  20. J.P. Sun. Modeling of semiconductor quantum devices and its application (Ph.D. Thesises, Dep. of EECS, Univ. of Michigan, Ann Arbor, 1993)
  21. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. Микросистемная техника, 9, 36 (2004)
  22. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, Н.В. Коломейцева. Докл. БГУИР. Электроника, материалы, технологии, информатика, 4, 42 (2004)
  23. И.И. Абрамов. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем (Минск, БГУ, 1999)
  24. И.И. Абрамов, И.А. Гончаренко, С.А. Игнатенко, А.В. Королев, Е.Г. Новик, А.И. Рогачев. Микроэлектроника, 32 (2), 124 (2003)
  25. J.S. Wu, C.Y. Chang, C.P. Lee, K.H. Chang, D.G. Liu. Sol. St. Electron., 4, 403 (1991)
  26. H. Mizuta, T. Tanoue. The physics and applications of resonant tunneling diodes (Cambridge University Press, 1995)
  27. T. Wei, S. Stapleton, O. Berolo. J. Appl. Phys., 77 (8), 4071 (1995)
  28. E.R. Brown, W.D. Goodhue, T.C. L.C. Sollner. J. Appl. Phys., 64 (3), 1519 (1988)
  29. S.C. Kan, H. Morkoc, A. Yariv. Appl. Phys. Lett., 52 (26), 2250 (1988)
  30. K.L. Jensen, F.A. Buot. Phys. Rev. Lett., 66 (8), 1078 (1991)
  31. P. Zhao, D.L. Woolard, B.L. Gelmont, H.-L. Cui. J. Appl. Phys., 94 (3), 1833 (2003)
  32. И.А. Обухов. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах (Севастополь, Вебер, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.